FAIRCHILD FDD390N15A 说明书 FDD390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET，是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺，具有低RDS(on)和高开关速度等特点。
FAIRCHILD FDD390N15ALZ 说明书 FDD390N15ALZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大额定电压为150V，最大连续电流为26A，开关速度快，门极电荷低，具有高性能、低RDS(on)、高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDB2614 说明书 FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDB2710 说明书 该文件介绍了FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，采用了先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDB28N30 说明书 该文件介绍了FDB28N30 N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试以及改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDB33N25/FDI33N25 说明书 该文档介绍了FDB33N25 / FDI33N25型250V N-Channel MOSFET的特点，包括33A的电流、250V的电压、低门电荷和低Crss等特性。
FAIRCHILD FDB3502 说明书 该PDF文件是关于FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET的产品手册，该产品具有Max rDS(on) = 47mΩ at VGS = 10V, ID = 6A，100% UIL Tested，RoHS Compliant等特点
FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632/FDH3632 说明书 FDB3632/FDP3632/FDI3632/FDH3632是N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压100V，额定电流80A，典型导通电阻7.5mΩ。
FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 说明书 该文档介绍了FDB3682 / FDP3682 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力以及适用的应用领域。
FAIRCHILD FDB390N15A 说明书 FDB390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 数据表，该器件具有低RDS(on)、快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟槽技术，可用于DC到DC转换器、同步整流器等场合
FAIRCHILD FDB44N25 说明书 FDB44N25是Fairchild生产的250V N-Channel MOSFET，具有44A的额定电流、0.069Ω的RDS(on)，低门极电荷和Crss，快速开关，100%的雪崩测试，以及改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDB52N20 说明书 FDB52N20是一款200V的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.049Ω@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为49 nC），低Crss（典型值为66 pF），快速开关，100%雪崩测试，改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDB5800 说明书 该文件介绍了FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有低Rdson、低门电荷、高功率和电流处理能力等特点，适用于电机/负载控制、ABS系统、动力传动管理、喷油系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。
FAIRCHILD FDP6030L/FDB6030L 说明书 FDP6030L/FDB6030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款逻辑级MOSFET，具有快速开关和低门控电荷的特点，并且在高温下工作仍然稳定可靠。
