FAIRCHILD FDC365P 说明书 FDC365P P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor制造的P型MOSFET，其最大电流为-4.3A，最大导通电阻为55mΩ。
FAIRCHILD FDC5612 说明书 FDC5612是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，专门设计用于改善使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。这些MOSFET具有比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更快的开关速度和更低的门电荷。结果是一款更容易和更安全驱动的MOSFET（甚至在非常高频率下），以及具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
FAIRCHILD FDC5614P 说明书 FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET，是由Fairchild公司生产的使用Fairchild的高压PowerTrench工艺制造的60V P-Channel MOSFET，该器件经过优化，可用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDC604P 说明书 该文档介绍了FDC604P型号的P-Channel MOSFET，采用低压PowerTrench工艺，适用于电池电源管理应用。具有-5.5A，-20V的特性，快速切换速度，极低的RDS(ON)等特点。
FAIRCHILD FDC608PZ 说明书 FDC608PZ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能MOSFET器件，采用先进的PowerTrench工艺，具有低阻态电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDC610PZ 说明书 FDC610PZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道PowerTrench®MOSFET，它具有极低的导通电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载切换和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC6302P 说明书 FDC6302P是Fairchild的双P通道数字场效应晶体管，其最大耗散功率为0.9瓦，工作温度范围为-55至150℃。该器件适用于低压应用，可替代负载开关应用中的数字晶体管。
FAIRCHILD FDC6303N 说明书 FDC6303N是双N沟道逻辑级增强型场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术制造，具有很低的导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种N沟道FET可以替代具有不同偏置电阻的多个数字晶体管。
