FAIRCHILD FCA35N60 说明书 FCA35N60 600V N 通道 MOSFET 是一款由 Fairchild 公司研发的新型高压 MOSFET 产品，具有 650V 的最大耐压、 0.079Ω 的低导通电阻和 340pF 的低输出电容等特点。
FAIRCHILD FCA36N60NF 说明书 该文件介绍了FCA36N60NF N-Channel MOSFET, FRFET产品的特点和特性，包括其低导通电阻、超低栅极电荷、低输出电容、100%的雪崩测试等。该产品适用于AC-DC SMPS、PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源等应用。
Allegro ATS632LSC 说明书 ATS632LSC HALL-EFFECT GEAR-TOOTH SENSOR SUBASSEMBLY is a zero-speed, self-calibrating, non-oriented, hall-effect gear-tooth sensor.
FAIRCHILD FCA47N60/FCA47N60_F109 说明书 FCH47N60_F133 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N-Channel MOSFET 是一款由 Fairchild 推出的高性能 MOSFET 器件，具有极低的导通电阻、超低的栅极电荷以及高耐压性能。这款器件非常适合用于各种 AC/DC 电源转换应用，可实现系统小型化和更高效率。
FAIRCHILD FCA47N60F 说明书 FCA47N60F 600V N 通道 MOSFET, FRFET 是一种高性能新型高压 MOSFET, 具有卓越的低电阻和低门极电荷性能，适用于各种 AC/DC 电源转换应用。
FAIRCHILD FCA76N60N 说明书 FCA76N60N N-Channel MOSFET，是fairchild推出的，采用了深沟填充工艺的新一代高压超级结MOSFET。该产品具有RDS(on) = 28mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A，Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)，Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特点。
FAIRCHILD FCB11N60 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的FCB11N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括650V的电压、0.32Ω的RDS(on)、40nC的超低门电荷和95pF的低有效输出电容等。
FAIRCHILD FCB20N60 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation推出的FCB20N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括650V的耐压能力，0.15Ω的导通电阻，低门电荷和低输出电容等。
FAIRCHILD FCB20N60F 说明书 FCB20N60F是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款600V N-CHANNEL FRFET，最大特点是具有极低的导通电阻Rds(on)=0.15�，快恢复时间trr = 160ns，低输出电容Coss.eff=165pF，100% avalanche tested。
FAIRCHILD FCB36N60N 说明书 这是一款由Fairchild制造的FCB36N60N N通道MOSFET，额定电压为600V，额定电流为36A，额定电阻为90mΩ。其特点包括：RDS(on) = 81mΩ（典型值）@ VGS = 10V，ID = 18A；超低门极电荷（典型值为Qg = 86nC）；低有效输出电容；100%雪崩测试；RoHS 兼容。
FAIRCHILD FCD5N60/FCU5N60 说明书 FCD5N60/FCU5N60是fairchild公司生产的一款600V N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、低门极电荷和低输出电容等特点。
FAIRCHILD FCD7N60/FCU7N60 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FCD7N60/FCU7N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括超低门电荷、低输出电容和高电压容忍能力。
FAIRCHILD FCD9N60NTM 说明书 FCD9N60NTM N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mΩ 是一款由 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的 MOSFET 产品，该产品采用深沟填充工艺，具有 RDS(on) = 0.330Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A、超低栅极电荷 (Typ.Qg = 17.8nC)、低有效输出电容等特点，符合 RoHS 标准。
