FAIRCHILD FDG6308P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDG6308P P-Channel MOSFET的特点和特性，适用于电池管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDG6316P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2001年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDG6316P型号的P-Channel 1.8V MOSFET产品的特点和特性，适用于电池管理和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDG6318P Dual P-Channel, Digital FET 数据手册 FDG6318P是由Fairchild Semiconductor生产的双P通道逻辑级增强模式MOSFET，使用PowerTrench工艺，电阻小，适用于低压应用
FAIRCHILD FDG6318PZ Dual P-Channel, Digital FET 数据手册 这是一份关于FDG6318PZ双P通道数字型增强模式MOSFET的文件。该产品特点是具有低开态电阻和低门极驱动要求，适用于电池管理等领域。
FAIRCHILD FDG6320C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 这是 FDG6320C 的数据表，它是一款双 N 型和 P 型通道数字 FET。它具有非常小的包装外形 SC70-6，非常低的门驱动要求，允许在 3V 电路中直接操作 (VGS(th) < 1.5 V)，门源 Zener 用于 ESD 耐用性 (> 6kV 人体模型)。
FAIRCHILD FDG6321C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 FDG6321C是Fairchild生产的逻辑级增强模式场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术。该设备专为低电压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
FAIRCHILD FDG6322C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 FDG6322C是Fairchild生产的一款双N和P通道逻辑级增强型场效应晶体管。它具有非常小的封装尺寸和低压驱动要求，可以直接在3V电路中工作。该器件设计用于替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET，并且不需要偏置电阻。
FAIRCHILD FDG6332C 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs 数据手册 FDG6332C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs，具有低门极电荷、极低的RDS(ON)，适用于DC/DC转换器、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDG6335N 20v N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDG6335N是一款20V N通道PowerTrench MOSFET，其低RDS(ON)和低QG特性使其非常适合应用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等场合。
FAIRCHILD FDD3N40/FDU3N40 400V N-Channel MOSFET 数据手册 FDD3N40 / FDU3N40 400V N-Channel MOSFET 是 Fairchild 推出的一款 N 通道增强型功率场效应晶体管，采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术制造，具备低导通电阻、快速开关、100% 雪崩测试以及改进的 dv/dt 能力等特点。
FAIRCHILD FDD3N50NZ N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDD3N50NZ N-Channel MOSFET的特点和特性，如低电阻、低电荷、快速开关、100%的avalanche测试等。
FAIRCHILD FDD4141 P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD4141 P-Channel PowerTrench® MOSFET 是一种低 rDS(on) P 通道 MOSFET，应用于开关电源和逆变器等应用。
FAIRCHILD FDD4243 40V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD4243 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。
