FAIRCHILD FDMS8570SDC 说明书 本文档介绍了FDMS8570SDC N-Channel PowerTrench® SyncFETTM产品的特点和特性，包括最大的rDS(on)，高性能技术和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDMS86101 说明书 FDMS86101是一款N沟道功率MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺生产，具有低通态电阻和高效率的特点。
FAIRCHILD FDMS86101DC 说明书 FDMS86101DC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺，具有极低的沟道电阻，优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMS86102LZ 说明书 该文档介绍了FDMS86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、ESD保护等级和适用于直流-直流转换、逆变器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDMS86103L 说明书 FDMS86103L N-Channel Power Trench® MOSFET是一款100 V，49 A，8 mΩ的N沟道MOSFET，具有以下特点：最大RDS(on)=8 mΩ，VGS=10 V，ID=12 A；最大RDS(on)=11 mΩ，VGS=4.5 V，ID=10 A；先进的封装和硅芯片组合，可实现低RDS(on)和高效率；MSL1坚固的封装设计；100% UIL测试；符合RoHS标准。
ON MMSZ4678T1 Series Preferred Device Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册 MMSZ4678T1是一款500mW的SOD-123表面贴装的齐纳二极管，具有500mW的额定功率，-1.8V到43V的齐纳反向电压范围，适用于FR-4或FR-5板，可选铅封装。
FAIRCHILD FDMS86104 说明书 该文档介绍了FDMS86104 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、先进的封装和硅组合、MSL1稳健的封装设计、100% UIL测试以及符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMS86105 说明书 FDMS86105是一款N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应管。该产品具有最大34 mΩ的rDS(on)（在VGS = 10 V，ID = 6 A时），以及最大54 mΩ的rDS(on)（在VGS = 6 V，ID = 4.5 A时）。它采用先进的封装和硅材料组合，以实现低rDS(on)和高效率。该产品通过100% UIL测试，并符合RoHS指令。
FAIRCHILD FDMS86200 说明书 FDMS86200 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor公司生产的一种高性能功率MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS86201 说明书 FDMS86201 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低阻抗的 MOSFET，适用于 DC-DC 转换电源等应用。
