FAIRCHILD FDMS8670S 说明书 FDMS8670S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30V, 42A, 3.5m� 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 MOSFET 器件，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。
FAIRCHILD FDMS8848NZ 说明书 FDMS8848NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款低rDS(on)和高效率的器件，最大电流为49A，最大阻抗为3.1 m欧
FAIRCHILD FDMS8880 说明书 FDMS8880 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的MOSFET，其最大导通电阻仅为8.5 mΩ，适用于笔记本电脑的同步降压应用。
FAIRCHILD FDMS8888 说明书 该文件介绍了一种N沟道功率晶体管，具有30V的电压、21A的电流以及9.5 mΩ的最大导通电阻。它采用了先进的封装和硅片组合，以实现低导通电阻和高效率。该产品适用于笔记本电脑、服务器、笔记本电池组和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMS9600S 说明书 FDMS9600S双N通道PowerTrench®MOSFET是一款30V，32A，8.5mΩ的MOSFET。它具有低Qg高侧MOSFET和低rDS(on)低侧MOSFET，并且具有热效率高，双Power56封装，引脚优化，RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDMS9620S 说明书 该文档介绍了2007年7月发布的FDMS9620S Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括Q1和Q2两种型号的电流、电阻和功率等参数。
FAIRCHILD FDN302P 说明书 FDN302P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道2.5V指定功率沟槽MOSFET。它具有2.5V至12V的广泛门极驱动电压范围，非常适用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDN304P 说明书 FDN304P是一款P通道MOSFET，额定电压为1.8V，使用Fairchild的先进低压PowerTrench工艺，具有快速开关速度和极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDN308P 说明书 FDN308P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是：工作电压为2.5V，最大电流为1.5A，开关速度快，采用先进的PowerTrench工艺，适用于电源管理、负载开关、电池保护等应用场景。
FAIRCHILD FDN327N 说明书 FDN327N是Fairchild生产的一款N沟道MOSFET，其工作电压为20V，额定电流为2A，开启电压为1.8V。该器件采用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，具有低门极电荷和快速开关速度的特点。
FAIRCHILD FDN336P 说明书 FDN306P/336P是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道2.5V规格PowerTrench®MOSFET。该器件适用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDN337N 说明书 该文档介绍了1998年3月发布的FDN337N N-Channel逻辑电平增强模式场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该产品具有高密度单元设计，极低的导通电阻和最大直流电流能力，适用于低压应用中需要快速开关和低线电功率损耗的场合。
