MCC MUR1010CT THRU MUR1020CT 数据手册 MUR1010CT MUR1020CT 10 Amp Super Fast Glass Passivated Rectifier 是Microsemi 推出的一款二极管，具有高效、低反向漏电流和高浪涌容量的特点。
MCC MUR10005 THRU MUR10060 数据手册 MUR10005 THRU MUR10060 100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts是MCC公司生产的一款半导体器件，具有高浪涌能力、低漏电、低压降、高电流能力和高效率等特点
FAIRCHILD FDP3672 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation所生产的FDP3672 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大额定电压、最大电流、低Miller电荷、低QRR体二极管、高效率、UIS能力等。该产品适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷式/柴油喷射系统、42V汽车负载控制、电子可变气门系统等应用。
FAIRCHILD FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 说明书 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 35A, 42mΩ 产品具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability（单脉冲和重复脉冲）等特点。
FAIRCHILD FDP51N25/FDPF51N25 说明书 FDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，它具有51A、250V、RDS（on）=0.06Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型55 nC）、低Crss（典型63 pF）等特点。它采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有极低的开启电阻、卓越的开关性能，并且能够承受高能脉冲。该器件非常适合于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDP52N20/FDPF52N20T 说明书 FDP52N20 / FDPF52N20T 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 200V 的漏源电压，52A 的连续电流，0.049 欧姆的开关损耗。
FAIRCHILD FDP55N06/FDPF55N06 说明书 FDP55N06/FDPF55N06是Fairchild生产的N-Channel enhancement mode power field effect transistors，特点是55A, 60V, RDS(on) = 0.022 Ω @VGS = 10 V，低gate charge ( typical 30 nC)，低Crss ( typical 60 pF)，快速switching，100% avalanche tested，improved dv/dt capability。
FAIRCHILD FDP5800 说明书 该文档介绍了FDP5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其RDS(on)、高性能沟道技术、低门电荷、高功率和电流处理能力等。适用于电机/负载控制、动力传动管理、喷射系统、直流-交流转换器和UPS等应用。
FAIRCHILD FDP5N50NZ / FDPF5N50NZ 说明书 该文件为FDP5N50NZ / FDPF5N50NZ N-Channel MOSFET的数据手册，该器件为N通道增强模式功率场效应晶体管，具有RDS(on) = 1.38 (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.25A，低栅极电荷（典型值为9nC），低Crss（典型值为4pF），快速开关，100％雪崩测试，改进的dv/dt能力，ESD改进能力，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ 说明书 FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N-Channel MOSFET，额定电压600V，最大连续电流4.5A，电阻率2.0Ω。该产品具有低门控电荷（典型值为10nC）、低Crss（典型值为5pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、ESD增强能力和RoHS兼容性等特点。
