FAIRCHILD FDN338P 说明书 FDN338P是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，采用先进的低压PowerTrench工艺，具有低RDS(ON)、高开关速度的特点。适用于电池管理、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDN339AN 说明书 FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的，采用了PowerTrench工艺，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDN340P 说明书(1) 该数据表是关于FDN340P的，它是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道逻辑级MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)（70mΩ@VGS=-4.5V）和低门控电荷（7.2nC典型值），适用于负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换等便携式电子应用。
FAIRCHILD FDN358P 说明书 FDN358P是一款P型逻辑级MOSFET，使用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench工艺制成，该工艺专门针对最小化开启状态电阻而设计，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDN359BN 说明书 FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道逻辑级MOSFET，该MOSFET使用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，通过该工艺可以将导通电阻最小化，同时保持优异的开关性能。该器件适用于低电压和电池供电的应用场合，在这些应用场合中，需要低的线路功耗和快速切换。
FAIRCHILD FDN360P 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDN360P单P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Power Trench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。适用于低压和电池供电应用，要求低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDN361BN 说明书 FDN361BN 是一种 30V N 通道逻辑级 PowerTrench MOSFET，其开关速度快，线损低。适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用。
FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 说明书 The FDN372S is a 30V N-channel power trench SyncFET™ MOSFET designed to maximize power conversion efficiency with low Rds(on) and low gate charge. It is ideal as a low side switch in a synchronous converter.
ON MMSZ2V4ET1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册(1) 该数据表格主要介绍了MMSZ2V4ET1系列的二极管产品的特点特性，包括额定功率、最大功率、电压范围等。
FAIRCHILD FDMS3668S 说明书 FDMS3668S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道MOSFET，其特点是低压降和低导通电阻，适用于计算机、通信、通用用途点负载和笔记本电脑等应用。
FAIRCHILD FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 说明书 FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET，最大RDS(on)为23mΩ，最大ID为22A，典型Qg为31nC。该产品适用于高频DC-DC转换器应用。
