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FDMS86103L N-Channel Power Trench® MOSFET是一款100 V，49 A，8 mΩ的N沟道MOSFET，具有以下特点：最大RDS(on)=8 mΩ，VGS=10 V，ID=12 A；最大RDS(on)=11 mΩ，VGS=4.5 V，ID=10 A；先进的封装和硅芯片组合，可实现低RDS(on)和高效率；MSL1坚固的封装设计；100% UIL测试；符合RoHS标准。