FAIRCHILD FDP8N50NZU / FDPF8N50NZU N-Channel MOSFET 数据手册 FDP8N50NZU / FDPF8N50NZU N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能电力场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、低栅极电容和快速开关特性，可应用于高效开关模式电源供应和有源功率因数校正等领域。
FAIRCHILD FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有以下特点：RDS(on)=1.15mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=3.25A；低栅极电荷（典型值20nC）；低Crss（典型值10pF）；快速开关；100%雪崩测试；改进的dv/dt能力；RoHS兼容。
FAIRCHILD FDQ7236AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench? in SO-14 Package 数据手册 FDQ7236AS是Fairchild公司生产的一款双通道功率MOSFET，该MOSFET具有低导通损耗和低开关损耗的特点。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel PowerTrench Specified MOSFET 数据手册 FDN5618P是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，额定电压为60V，漏极电流为-1.25A，开关速度快，RDS(ON)低，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用
FAIRCHILD FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN5630型号的N-沟道MOSFET产品。该产品采用了Fairchild公司的PowerTrench技术，具有较低的RDS(ON)和快速开关特性，适用于高频DC/DC转换器和马达驱动等应用。
FAIRCHILD FDN86246 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN86246 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大rDS(on)值、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDP020N06B_F102 数据手册 该文件介绍了FDP020N06B_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低电阻、低反向恢复电荷、快速开关速度等，适用于同步整流、电池充电器、直流电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDP025N06 数据手册 FDPA025N06是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有极低的RDS(on)、快速的开关速度、低的门极电荷和高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDP027N08B_F102 数据手册 FDP027N08B_F102是Fairchild生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为80V，最大电流为223A，典型开关导通电阻为2.21mΩ。
FAIRCHILD FDP032N08 数据手册 该文档介绍了FDP032N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括75V的漏极到源极电压、235A的漏极电流、3.2mΩ的导通电阻等。
FAIRCHILD FDP036N10A 数据手册 FDP036N10A N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，具有RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A的特性，适用于DC to DC Convertors / Synchronous Rectification等应用场景。
FAIRCHILD FDP040N06 数据手册 FDP040N06是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，其最大特点是RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A，具有快速开关速度、低门极电荷、高性能沟槽技术和极低RDS(on)，适用于DC到DC转换器/同步整流应用。
