FAIRCHILD FDZ661PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ661PZ是Fairchild生产的一款P通道1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET，其特点是最大rDS(on)为140 mΩ，占用PCB面积小，封装高度低，ESD保护等级高。
FAIRCHILD FDZ391P P-Channel 1.5 V PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ391P是Fairchild Semiconductor公司生产的一款1.5V P通道WL-CSP MOSFET器件。该器件具有低RDS(on)、低功耗、小封装等特点，适用于电池管理、负载开关、电池保护等应用场合。
FAIRCHILD FDZ375P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ375P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司推出的一款产品，该产品具有极低的RDS(on)和极小的PCB面积，非常适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002LT1 是LESHAN RADIO公司生产的N通道SOT-23封装的MOSFET, 其最大漏源电压为60V, 最大漏源电流为115mA, 最大栅源电压为40V, 最大总耗散功率为225mW。
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002L是Semiconductor Components Industries, LLC生产的一种小信号N通道MOSFET，其最大额定电压为60 V，最大额定电流为115 mA，封装形式为SOT-23。
FAIRCHILD FDZ371PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ371PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET 是一种低功耗、高性能 P 通道 MOSFET，专门针对电池管理系统 (BMS) 和其他应用而设计，例如负载开关和电池保护。该器件采用先进的 1.5 V PowerTrench® 工艺和先进的“细间距”Thin WLCSP 封装工艺，可最大限度地减少 PCB 空间和 rDS(on)。
Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K 说明书 该文档描述了Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的特性和特点，包括N-Channel Vertical DMOS结构、Level 3 MOS模型、适用于线性和开关应用、温度范围广等。同时，该文档也介绍了该器件的子电路模型原理和参数优化方法。
FAIRCHILD FDZ197PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ197PZ是一款P通道功率MOSFET，采用1.5V PowerTrench工艺和WL-CSP封装技术。它具有低RDS(on)、占用PCB空间小、超薄封装、低门电荷等特点，并适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。
飞利浦 2N7002F 数据手册 2N7002F是一款使用TrenchMOS™技术的N沟道增强型场效应晶体管，适用于中速开关应用。其特点是采用了TrenchMOS™技术，具有非常快的开关速度，与逻辑电平兼容，并采用了超小尺寸的表面贴装封装。
FAIRCHILD FDZ193P 数据手册 FDZ193P是Fairchild公司的一款P通道1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET，其特点是最大RDS(on)为90mΩ@VGS=-4.5V,ID=-1A，占用PCB面积仅1.5mm2，厚度小于0.65mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDZ192NZ 数据手册 FDZ192NZ是一款由Fairchild Semiconductor Corporation设计的N通道1.5V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET。该器件具有极低的RDS(on)，可在1.5V至20V的电压范围内工作，最大电流为5.3A。
FAIRCHILD FDZ191P 数据手册 FDZ191P P-通道1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET具有最大RDS(on)为85mΩ、占用PCB面积为1.5mm2、高度低于0.65mm的特点，适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。
FAIRCHILD FDZ1905PZ Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench WL-CSP MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDZ1905PZ型号的Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、占用PCB面积小、超薄封装、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDY4000CZ Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY4000CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N-P通道PowerTrench® MOSFET，具有低阻抗特性，适用于电源转换电路、负载/电源开关等应用场景。
飞利浦 2N7002E 数据手册 该文件介绍了一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS™技术并封装在塑料包装中。该产品具有逻辑电平阈值兼容、非常快速的开关速度等特点，适用于逻辑电平转换器、高速线路驱动器等应用。
