DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002V/VA 是双 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、超小表面贴装封装和无铅设计/ RoHS 兼容等特点。
FAIRCHILD FQA19N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQA19N60是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，它采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有超低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率的开关电源。
DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002V/VA是双N通道增强型场效应晶体管，具有低开关电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装等特点
DIODES 2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002T是N通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电、超小表面贴装封装等特点。
16-, 14-, & 12-bit Self-calibrating A/D Converters CS5012A CS5014 CS5016 说明书 CS5012A/14/16是12位、14位和16位的模拟数字转换器，具有7.2微秒、14.25微秒和16.25微秒的转换时间。独特的自校准电路确保了优异的线性度和差分非线性度，并且没有缺失码。偏移和满量程误差保持在1/2 LSB（CS5012A/14）和1 LSB（CS5016）以内，无需校准。单极性和双极性输入范围可通过数字选择。CS5012A/14/16具有DAC、转换和校准微控制器、振荡器、比较器、与微处理器兼容的三态I/O和校准电路。采样架构内置的输入跟踪保持电路在每次转换后使用快速摆动的片上缓冲放大器获取输入信号。这允许达到100 kSps（CS5012A）、56 kSps（CS5014）和50 kSps（CS5016）的吞吐量。
FAIRCHILD FQA170N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 该文件是关于FQA170N06的datasheet，该产品是一款N-Channel enhancement mode power field effect transistors，具有低gate charge, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, improved dv/dt capability, 175°C maximum junction temperature rating等特点。
FAIRCHILD 2N7002MTF 说明书 该文件介绍了2N7002MTF产品的特点特性，包括较低的RDS(on)，提高的感应耐用性，快速的开关时间，较低的输入电容，扩展的安全工作区域以及改进的高温可靠性。
FAIRCHILD FQA160N08 80V N-Channel MOSFET 说明书 FQA160N08是Fairchild Semiconductor International生产的一款80V N通道MOSFET。它具有低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
FAIRCHILD FQA140N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 该文件是关于Fairchild Semiconductor International公司生产的FQA140N10 QFET QFET QFET QFET TM FQA140N10 100V N-Channel MOSFET的介绍。该产品采用了Fairchild公司自有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力等特点。适用于低压应用领域，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQA13N80_F109 800V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2007年推出的FQA13N80_F109 800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括12.6A的电流、0.75Ω的RDS(on)，低门电荷和低Crss等。
FAIRCHILD FQA13N50CF 500V N-Channel MOSFET 说明书 FQA13N50CF是一款由Fairchild生产的500V N型沟道MOSFET，具有15A的额定电流、0.48欧姆的RDS(on)和43nC的栅极电荷。该器件采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和快速恢复的体二极管。它适用于高效率的开关模式电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQA11N90C_F109 900V N-Channel MOSFET 说明书 FQA11N90C_F109 是一款900V N沟道 MOSFET，其特点是低门极电荷（典型值为 60 nC）、低 Crss（典型值为 23pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力、RoHS 兼容性。
FAIRCHILD FQA11N90 / FQA11N90_F109 900V N-Channel MOSFET 说明书 FQA11N90 / FQA11N90_F109 是一款 N 通道 MOSFET，最大电压为 900V，额定电流为 11.4A，具有低门极电荷、低栅极电阻、低栅极反向电容、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力等特点。适用于高效开关模式电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯具镇流器等应用场合。
FAIRCHILD FQA10N80C_F109 800V N-Channel MOSFET 说明书 该文档介绍了FQA10N80C_F109 800V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括10A的电流，1.1Ω的RDS(on)，低门电荷，快速切换，100%的雪崩测试等。
FAIRCHILD FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET，该产品的最大电阻率为134 mΩ，占据 PCB 面积为0.64 mm2，封装高度小于0.4 mm，是一款低功耗、小型化、高性能的 MOSFET。
