工业器械 - 第1846页

该文档是关于CS51313的介绍，CS51313是同步双NFET降压控制器，可为最新高性能CPU的核心逻辑供电。它采用V2TM控制方法，可实现最快的暂态响应和最佳的整体调节。它还集成了许多其他功能，以确保CPU和电源系统的正常运行和保护。

该产品是一款12V转16A高性能开关稳压器控制器。它是同步双NFET降压稳压器控制器，旨在从单个12V输入为最新的高性能CPU和ASIC的核心逻辑供电。它使用V2TM控制方法来实现最快的瞬态响应和最佳的总体调节。它集成了5位DAC，具有1.2%的容差，可提供200ns的瞬态环路响应。它还包括快速关断功能，可在短时间内关闭开关，从而提供保护，防止电源过载。

CS51311是同步双NFET降压调节器控制器，旨在为最新的高性能CPU的核心逻辑供电。它使用V2TM控制方法来实现最快的瞬态响应和最好的整体调节。它集成了许多确保CPU和电源系统正常运行和保护所需的附加功能。CS51311提供业界最具集成度的解决方案，最大限度地减少外部元件计数，降低总成本和BOM，提高可靠性。

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CS51227 是一款固定频率单输出 PWM 控制器，采用前馈电压模式控制。前馈控制可以提供卓越的行稳压和行瞬态响应。这款 PWM 控制器经过优化，可用于高频主侧控制操作。它具有 4.7 V 启动电压和 75 µA 启动电流的欠压锁定功能。一个外部电容可以将切换频率编程到 1.0 MHz。保护功能包括带有前沿消隐和热关断的脉冲电流限制。CS51227 可在 8 引脚 SO 窄表面贴装封装中使用。

2N7372是PNP型号，2N7373是NPN型号，2N7372和2N7373是互补型功率晶体管，采用绝缘的TO-254AA封装，具有高可靠性、高频率、快速开关等特点

2N7371是PNP达林顿功率硅晶体管，最高额定电压100V，最大集电极电流12A，工作温度范围-65到+175度。

CS51220是一款具有开关频率高达500kHz的单输出PWM控制器。前馈电压模式控制为宽输入范围提供出色的线路调节。该PWM控制器具有同步输出，允许编程相位延迟。对于过电流保护，“软抽搐”技术有效地限制了输出电流，具有最大的灵活性。此外，该器件还包括以下特性：软启动、脉冲电流限制、可编程折叠电流限制、伏秒钳位、最大占空比、过压和欠压保护以及同步输入。CS51220可在16 SO窄表面贴装封装中使用。

2N7370 JAN系列是高功率硅晶体管，具有最大集电极-发射极电压100Vdc、最大集电极-发射极击穿电压100Vdc、最大发射极-基极电压5.0Vdc、最大基极电流0.2Adc、最大集电极电流12Adc、最大总功耗100W，工作温度范围-65至+175℃。

该文件介绍了一种PNP高功率硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/621标准，具有80V的集电极-发射极电压，80V的集电极-基极电压，7.0V的发射极-基极电压，4.0A的基极电流，10A的集电极电流，115W的最大功率耗散等特性。

这份文件介绍了一个NPN高功率硅晶体管的技术数据，包括最大额定值、热特性和电性能参数。

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CS51033是一款开关控制器，用于dc-dc转换器。它可以在最小数量的外部元件的情况下用于降压拓扑。CS51033由1.0 A功率驱动器组成，用于控制离散P通道晶体管的栅极，固定频率振荡器，短路保护定时器，可编程软启动，精密参考，快速输出电压监控比较器和带锁存的输出级驱动逻辑。高频振荡器允许使用小型电感器和输出电容器，最大限度地减小PCB面积和系统成本。可编程的软启动可减少启动时的电流冲击。短路保护定时器在短路条件下显着降低PFET占空比，使其正常周期约为1/30。CS51033提供8引脚SO封装。特点• 1.0 A Totem Pole输出驱动器• 高频振荡器（最大700 kHz）• 无需稳定补偿• 无损短路保护• 2.0%精密参考• 可编程软启动• 宽环境温度范围：♦工业级：-40°C至85°C♦商用级：0°C至70°C 95个单元/轨道http://onsemi.com