工业器械 - 第1856页

ON MC34063A, MC33063A, NCV33063A 1.5 A, Step−Up/Down/ Inverting Switching Regulators 数据手册

MC34063A/D MC34063A, MC33063A, NCV33063A 1.5 A, Step−Up/Down/ Inverting Switching Regulators 是用于DC−to−DC converters的集成电路。该系列专为采用最少的外部元件实现Step−Down和Step−Up和Voltage−Inverting应用而设计。

ON NCV1009 2.5 Volt Reference 数据手册(1)

NCV1009是一款精密修剪的2.5V±5.0mV分流稳压二极管。低动态阻抗和宽工作电流范围增强了其多功能性。通过芯片上的修剪实现了紧密的参考容限，最小化了电压容限和温度漂移。第三个引脚允许将参考电压调整±5.0%以校准系统误差。在许多应用中，NCV1009Z可以用作LT1009CZ和LM136Z−2.5的引脚对引脚替代品，而无需外部修剪网络。

ON NCV1009 2.5 Volt Reference 数据手册(1)

NCV1009 is a precision trimmed 2.5 V ±5.0 mV shunt regulator diode. It has low dynamic impedance and wide operating current range. On−chip trimming minimizes voltage tolerance and temperature drift. A third terminal allows the reference voltage to be adjusted ±5.0% to calibrate out system errors.

FAIRCHILD FDV304P Digital FET, P-Channel 数据手册

FDV304P数字FET P通道是一种极低的开关电阻，具有优异的开关速度，可在3V电压下直接操作。该设备具有非常高的密度，可在低栅极驱动条件下最大限度地降低开启状态电阻。这种设备专门设计用于笔记本电脑和手机等电池供电应用。

FAIRCHILD FDV303N Digital FET, N-Channel 数据手册

该文档介绍了FDV303N数字场效应晶体管的特点和绝对最大额定值，以及其在电池电路和便携式电子设备中的应用。

FAIRCHILD FDV302P Digital FET,P-Channel 数据手册

FDV302P是Fairchild生产的一种P通道逻辑级增强型场效应晶体管，其特点是工作电压低，RDS(ON)小，非常适合低压应用。

FAIRCHILD FDV301N N-Channel,Digital FET 数据手册

FDV301N是Fairchild生产的低压应用逻辑级增强模式场效应晶体管，用于取代数字晶体管。该器件采用独有的高密度DMOS工艺，具有很低的导通电阻。该器件无需偏置电阻，可以替代多种不同偏置电阻值的数字晶体管。

FAIRCHILD FDT86256 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

FDT86256 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的MOSFET产品，它具有低rDS(on)、快开关速度、RoHS兼容等特点。适用于DC-DC转换、逆变器、同步整流器等应用场合。

FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，该工艺经过优化，可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。

FAIRCHILD FDT86244 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

FDT86244 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能MOSFET，具有极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，可广泛应用于负载开关和主开关等领域。

FAIRCHILD FDT86113LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDT86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的槽道技术、高功率和电流处理能力，以及ESD保护等级等。

FAIRCHILD FDT86106LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道逻辑级MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，可将导通电阻降至最低，同时仍能保持卓越的开关性能。该器件具有3.2 A的连续电流和100 V的漏源电压，非常适用于DC-DC转换等应用。

FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDT459N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册

该文档介绍了1998年3月发布的FDT459N N-Channel Enhancement Mode场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该晶体管采用了高密度单元的DMOS技术，具有极低的导通电阻和优越的开关性能。适用于低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。

FAIRCHILD FDT458P 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDT458P是一款30V P通道PowerTrench MOSFET，适用于DC/DC转换器、电池充电器和电机驱动等应用。它具有快速开关和低栅极电荷的特点。