FAIRCHILD 2N7051 数据手册 该文件介绍了2N7051 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它包括了集电极-发射极电压、集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极电流、存储温度等参数。
FAIRCHILD FQA36P15 150V P-Channel MOSFET 说明书 FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高效、快速开关的P通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，在提高开关速度、降低导通电阻和承受高能脉冲的同时，还能提高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET 说明书 FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型N沟道功率场效晶体管，采用Fairchild专有的平面DMOS技术，具有低导通电阻、出色的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。
Crysta CS5101A CS5102A 16-Bit, 100 kHz / 20 kHz A/D Converters 说明书 该文件介绍了Cirrus Logic, Inc.的CS5101A和CS5102A两款16位、100 kHz / 20 kHz A/D转换器的特点。这些转换器具有超低失真、快速转换时间、线性误差小、自校准等特性，适用于电池供电操作。
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 说明书 Supertex 2N7008是一款N通道增强型垂直DMOS FET，具有高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度等优点，非常适合用于各种开关和放大应用。
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 2N7007 说明书 2N7007是Supertex生产的一种N沟道增强型垂直DMOS FET，具有高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度等特性，适用于各种开关和放大应用场合。
DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1) 2N7002W 是 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门限电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。
DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1) 该文件介绍了2N7002W N-沟道增强型场效应晶体管的特点，包括低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度等。
FAIRCHILD FQA28N15 说明书 该文件介绍了FQA28N15型号的N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用Fairchild的专有DMOS技术，具有较低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效DC/DC转换器的开关和直流电机控制，以及不间断电源。
FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA24N60 600V N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低通态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。该产品非常适用于高效率的开关电源。
