工业器械 - 第1847页

Cherry Semiconductor CS51033 数据手册

CS51033是一种用于DC-DC转换器的开关控制器，可用于降压拓扑结构，具有无需补偿的高速振荡器、无损失短路保护、2%精度参考和可编程软启动等特点。

HARRIS Semiconductor 2N7288D, 2N7288R, 2N7288H 数据手册

该文档介绍了Harris Corporation公司1992年生产的2N7288D、2N7288R和2N7288H型号的辐射硬化N沟道功率MOSFET。这些器件具有9A、250V的额定值，RDS(on)为0.415Ω，能够满足100KRAD(Si)的预辐照规格，并且性能允许有限使用到3000KRAD(Si)。

ADVANCED POWER TECHNOLOGY 2N7228, JX2N7228*, JV2N7228* 数据手册

2N7228 N-CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS是美国ON Semiconductor公司生产的一款高压功率MOS管，其最大电压为500V，最大电流为12A。

ADVANCED POWER TECHNOLOGY 2N7227, JX2N7227*, JV2N7227* 数据手册

2N7227 是一个高压功率 MOSFET, 最大工作电压为 400V. 其最大连续电流为 14A, 最大峰值电流为 56A. 其导通电阻为 0.315Ω

ON Semiconductor CS51031 数据手册

CS51031 是一款用于 DC–DC 转换器的开关控制器。它可以用最少的外部组件在降压拓扑中使用。CS51031 由用于控制器件状态的 VCC 监视器、用于控制离散 P 通道晶体管栅极的 1.0 A 功率驱动器、固定频率振荡器、短路保护定时器、可编程软启动、精确参考、快速输出电压监视比较器和带锁存器的输出级驱动逻辑组成。高频振荡器允许使用小型电感器和输出电容器，最大限度地减少电路板面积和系统成本。可编程软启动可减少启动时的电流冲击。短路保护定时器在短路条件下将占空比显著降低到其周期的约 1/30。CS51031 提供 8 引脚 SO 塑料封装。

Cherry Semiconductor CS51031 数据手册

CS51031是一款开关控制器，用于DC-DC转换器。它可以与最少的外部元件一起使用。CS51031包括一个用于控制设备状态的VCC监视器、一个用于控制离散P通道晶体管门的1.0A功率驱动器、一个固定频率振荡器、短路保护定时器、可编程软启动、精密参考、快速输出电压监视比较器和带有锁存的输出级驱动器逻辑。高频振荡器允许使用小型电感器和输出电容器，从而最大限度地减少印刷电路板面积和系统成本。可编程软启动可减少启动时的电流冲击。短路保护定时器在短路条件下将占空比显着降低到其周期的1/30。CS51031有8L SO和8L PDIP塑料封装可供选择。

FAIRCHILD 2N718A/2N1613 数据手册

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ON Semiconductor CS51021A, CS51022A, CS51023A, CS51024A 数据手册

该数据手册是关于CS51021A/2A/3A/4A固定频率PWM电流模式控制器的，它提供所有必要的功能，以满足AC-DC或DC-DC主侧控制的要求。该系列包含了多种功能，从而消除了需要外部实现的额外组件。除了低启动电流(75µA)和高频操作能力之外，CS51021A/2A/3A/4A系列还包括过电压和欠电压监控、外部可编程双阈值过电流保护、电流检测前沿消隐、电流斜率补偿、精确的占空比控制和可用外部5.0V参考电压。CS51021A和CS51023A具有双向同步能力，而CS51022A和CS51024A则具有100µA最大IC电流消耗的睡眠模式。CS51021A/2A/3A/4A系列采用16引脚窄体SO封装。

FAIRCHILD FQA9N90_F109 数据手册

该文件介绍了FQA9N90_F109型900V N-Channel MOSFET的特点特性，包括电流、电压、开关速度等方面的参数。

Cherry Semiconductor CS51021/CS51023/CS51022/CS51024 数据手册

该文件介绍了CS51021/22/23/24系列固定频率PWM电流模式控制器，该系列控制器具有低启动电流（75µA）、高频操作能力、过压和欠压监视、可编程双阈值过流保护、电流检测引导边缘消隐、电流斜率补偿、精确占空比控制和可外部提供的5V参考等特点。该系列控制器具有双向同步功能，CS51021和CS51023提供睡眠模式，最大IC电流消耗为100µA。该系列控制器采用16引脚窄体SO封装。

FAIRCHILD FQA90N15_F109 数据手册

FQA90N15_F109是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V、低门控电荷(典型值为220nC)、低Crss(典型值为200pF)、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、175°C最大结温等级和RoHS兼容性。

FAIRCHILD FQH90N15 / FQA90N15 数据手册

这份文件介绍了FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET的特点和特性，包括90A的电流、150V的电压、低的RDS(on)值、低的门电荷和Crss值、快速开关速度、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力等。

FAIRCHILD FQA90N08 数据手册

FQA90N08是一款80V N沟道MOSFET，其特点是低导通电阻、高开关速度、100%的雪崩测试及改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FQA8N90C_F109 数据手册

该文件介绍了FQA8N90C_F109型号的900V N-Channel MOSFET产品的特点，包括8A的电流、1.9Ω的RDS(on)、低门电荷、快速开关等特性。

FAIRCHILD FQA8N100C 数据手册

FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET 是一款低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进dv/dt 能力的 MOSFET。