ON Semiconductor NTP18N06L, NTB18N06L 数据手册 NTP18N06L和NTB18N06L是美国半导体公司生产的N沟道MOSFET，最大电压60V，最大电流15A，典型应用场景包括电源、转换器、电动机控制和桥式电路。
FAIRCHILD FQB50N06L/FQI50N06L 数据手册 该文件介绍了FQB50N06L / FQI50N06L 60V逻辑N沟道MOSFET的特点和特性。这些器件适用于低压应用，如汽车、DC / DC转换器和便携式和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQB55N10/FQI55N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 FQI55N10是一款100V N沟道MOSFET，由Fairchild生产。该器件具有55A的连续电流、0.026Ω的RDS(on)和100%的雪崩测试，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQB5N90/FQI5N90 900V N-Channel MOSFET 说明书 该文件是Fairchild Semiconductor International公司生产的FQB5N90/FQI5N90 900V N-Channel MOSFET的产品资料
ON Semiconductor CS5157H 数据手册 CS5157H是5位同步双N通道降压控制器，专门为Pentium® II处理器和其他高性能核心逻辑而设计。它具有以下特点：板载5位DAC、短路保护、1.0%输出容差、VCC监视器和可编程软启动功能。
FAIRCHILD FQB6N80/FQI6N80 800V N-Channel MOSFET 说明书 这是一份PDF文件，介绍了Fairchild Semiconductor International生产的FQB6N80 / FQI6N80 800V N-Channel MOSFET的特性和特点。
Cherry Semiconductor CS5158 数据手册 CS5158是一款5位同步双N通道降压控制器，旨在为当今高密度、高速度逻辑提供前所未有的瞬态响应。该调节器采用专有的控制方法运行，可实现100ns的负载瞬态响应时间。CS5158旨在在4.25-16V范围内（VCC）运行，使用12V为IC供电，并使用5V作为转换的主要电源。CS5158专门设计用于为奔腾®II处理器供电。
FAIRCHILD FQB7N60/FQI7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQB7N60 / FQI7N60是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于高效率开关电源。其特点包括低通态电阻、快速开关速度、高能量脉冲和高耐压能力。
FAIRCHILD FQB8N60C / FQI8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 该数据表提供了FQB8N60C/FQI8N60C 600V N通道MOSFET的特性参数，包括额定电压、最大电流、开关速度、浪涌电流、门极电压等
FAIRCHILD FQB8P10/FQI8P10 100V P-Channel MOSFET 说明书 该产品是Fairchild生产的一种P-通道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能脉冲承受能力等特点，适用于音频放大器、高效开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用场合。
Cherry Semiconductor CS5157 数据手册 CS5157是5位同步双N通道降压控制器，专门为满足今天对高密度和高速逻辑的苛刻要求而设计，具有前所未有的瞬态响应速度。该调节器采用专有的控制方法，可在100ns内响应负载瞬态。CS5157采用12V电源为IC供电，5V电源为转换的主要电源，可在4.25-16V范围内(VCC)工作。CS5157专为为Pentium®II处理器和其他高性能核心逻辑供电而设计。它包括以下功能:板载5位DAC、短路保护、1.0%输出容差、VCC监视器和可编程软启动功能。CS5157有16引脚表面贴装。
