ST STGD3NB60KD 数据手册 STGD3NB60KD是STMicroelectronics公司设计的一款大功率IGBT，其最大电压为600V，最大电流为3A，额定工作温度为-65至150°C。
ST STGD3NB60H 数据手册 STGD3NB60H是STMicroelectronics推出的一款高性能N沟道IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低栅极电荷、高电流能力、极高工作频率、尾电流等特点。
ST STGP7NC60HD STGF7NC60HD - STGB7NC60HD 数据手册 STMicroelectronics STGP7NC60HD STGF7NC60HD - STGB7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D²PAK Very Fast PowerMESH™ IGBT是STMicroelectronics公司推出的一种IGBT，具有低压降、低开关损耗、低恢复能量、高频率和快速恢复的特点，适用于高频逆变器、SMPS和PFC等应用。
ST STGP7NB60K-STGP7NB60KFP-STGD7NB60K STGP7NB60KD-STGP7NB60KDFP-STGB7NB60KD 数据手册 STGP7NB60K-STGP7NB60KFP-STGD7NB60K STGP7NB60KD-STGP7NB60KDFP-STGB7NB60KD是STMicroelectronics生产的一款N通道7A-600V-TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗（电压驱动）、低导通电压降（Vcesat）、低栅极电荷、高电流能力、关断损耗包括尾电流、频率操作、短路额定等特点，应用于高频电机控制、SMPS和PFC等应用场景。
ST STGB7NB60HD 数据手册 STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT 是 ST 公司推出的一款高性能功率 IGBT 器件。该器件具有高输入阻抗、低导通电压、低栅极电荷、高电流容量、高频率工作和低关断损耗等特性，可应用于高频率电机控制、SMPS 和 PFC 等应用场合。
ST STGP7NB60FD - STGB7NB60FD 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics生产的PowerMESH™ IGBT系列产品的特点和性能。这些产品具有高输入阻抗、低开启电压降(Vcesat)、低关断损耗、低门极电荷、高电流能力和高频率操作等特点。适用于电机控制、SMPS和PFC以及硬开关和谐振拓扑等应用。
ST STGB7NB40LZ 数据手册 STGB7NB40LZ 是 ST 公司生产的一款高压绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，具有低阈值电压、低导通电压降、低栅极电荷、高电流能力和高压钳位等特点。该器件适用于汽车点火等应用。
ST STGB6NC60HD - STGB6NC60HD-1 STGF6NC60HD - STGP6NC60HD 数据手册(1) STGB6NC60HD, STGB6NC60HD-1, STGF6NC60HD, STGP6NC60HD是STMicroelectronics公司推出的一款N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH™ IGBT。该产品具有低压降（Vcesat）、低CRES / CIES比率（无交叉导通易感性）、非常柔软的超快速恢复反并联二极管和高频操作等特点。
ST STGB6NC60HD - STGB6NC60HD-1 STGF6NC60HD - STGP6NC60HD 数据手册(1) STGP6NC60HD和STGF6NC60HD是ST公司生产的一款新型N沟道6A-600V的TO-220/TO-220FP封装的功率晶体管，具有低压降、低开关损耗、低恢复能量、高频率等特点，适用于高频逆变器、SMPS和PFC等应用。
ST STGB3NB60SD 数据手册 STMicroelectronics设计了一系列先进的PowerMESH™ IGBT，采用基于专利条带布局的最新高压技术，具有出色的性能。STGB3NB60SD是其中一款IGBT，具有高输入阻抗、非常低的导通压降、高电流能力、集成的反向导流二极管等特点。适用于气体放电灯、静态继电器、电机控制等应用。
ST STGP3NB60MD - STGB3NB60MD 数据手册 STGP3NB60MD - STGB3NB60MD是STMicroelectronics生产的一款N通道3A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH™ IGBT。它具有高输入阻抗、低开启电压降、低关断损耗包括尾电流、低栅极电荷、高电流能力、高频率操作等特点。
ST STGP3NB60K/STGD3NB60K/STGP3NB60KD/STGP3NB60KDFP/STGB3NB60KD 数据手册 STGP3NB60K是STMicroelectronics生产的一款N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低门极电荷、高电流能力、开关损耗包括尾电流、高频率操作和短路额定等特点。
ST STGB3NB60HD 数据手册 STGB3NB60HD是ST公司生产的一款N通道3A-600V TO-263功率模块，具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力、高频率工作、开关损耗包含尾电流等特点。
ST STGP3NB60F/STGD3NB60F/STGP3NB60FD/STGF3NB60FD/STGB3NB60FD 数据手册 STGP3NB60F/STGD3NB60F/STGP3NB60FD/STGF3NB60FD/STGB3NB60FD是STMicroelectronics公司生产的一款高性能IGBT，该器件具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力、低关断损耗、高频率操作等特点，主要应用于电机控制和SMPS及PFC等电路
ST STGB20NB41LZ 数据手册 STGB20NB41LZ是一款N沟道夹持功率MESH IGBT，具有低阈值电压、低通态电压降、低门电荷、高电流能力和高电压夹持特性。它采用了最新的基于专利带状布局的高压技术，具有出色的性能。
