ST STGB3NB60SD 数据手册

STMicroelectronics设计了一系列先进的PowerMESH™ IGBT,采用基于专利条带布局的最新高压技术,具有出色的性能。STGB3NB60SD是其中一款IGBT,具有高输入阻抗、非常低的导通压降、高电流能力、集成的反向导流二极管等特点。适用于气体放电灯、静态继电器、电机控制等应用。


品牌
ST
文件格式
PDF
发布时间
2012年8月8日
更新时间
2023年9月28日
MD5 校验值
2C1AECD951061FCBE51E1B944263A245
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