ST 说明书

ST STGE50NB60HD 数据手册

STGE50NB60HD是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款高性能N沟道IGBT，其特点是采用了最新的高压技术，拥有较低的开关损耗和较高的转换频率，适用于高频电机控制、焊接设备、SMPS和PFC等应用。

ST STGE200NB60S 数据手册

STGE200NB60S是STMicroelectronics制造的一款高压功率器件，属于PowerMESH™ IGBT系列，具有高输入阻抗、低导通压降、低关断损耗、低栅极电荷和高电流能力等特点。该器件适用于低频电机控制和铝焊设备等应用场合。

ST STGP7NC60H - STGD7NC60H 数据手册

STGP7NC60H - STGD7NC60H 是 STMicroelectronics 推出的一款 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH™ IGBT ，具有低压降、低关断损耗、低开关损耗、高频率运行等特点，适用于高频逆变器、SMPS 和 PFC 等应用场景。

ST STGD7NB60S 数据手册

STGD7NB60S是STMicroelectronics推出的一款高压绝缘栅双极型晶体管，具有高输入阻抗、低导通电压、高电流容量等特点。该器件采用DPAK封装，适用于低频应用场景。

ST STGP7NB60M - STGD7NB60M 数据手册

该文件介绍了STMicroelectronics的一款基于高压技术的IGBT产品系列，具有高输入阻抗、低开启电压降、低关断损耗、低门电荷、高电流能力、高频率操作等特点。适用于电机控制、开关电源和功率因数校正等应用。

ST STGD7NB60H-1 数据手册

STGD7NB60H-1是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道7A 600V IPAK PowerMESH IGBT，具有高输入阻抗（电压驱动）、低导通压降（Vcesat）、低栅极电荷、高电流能力、非常高的频率操作、关断损耗包括尾电流等特点，应用于高频电机控制、SMPS和PFC在硬开关和谐振拓扑中的应用。

ST STGD7NB60H 数据手册

STGD7NB60H是ST公司生产的一款N沟道IGBT，额定电压为600V，额定电流为7A，工作频率可达50kHz。

ST STGP7NB60F - STGD7NB60F 数据手册

该文件介绍了一种新产品的初步信息，该产品正在开发或评估中。产品是一种高压功率MOSFET，具有高输入阻抗、低开关电压降、低门电荷、高电流能力和高频操作等特点。

ST STGD7NB120S-1 数据手册

STGD7NB120S-1是STMicroelectronics公司生产的一款N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT，具有高输入阻抗（电压驱动）、非常低的开启电压降（Vcesat）、高电流能力和包括尾电流在内的关断损耗等特点。该产品适用于灯光调光、浪涌电流限制和电机控制等应用。

ST STGD6NC60HD 数据手册

stgd6nc60hd 是意法半导体生产的一款 6a - 600v 的 n 通道 igbt，具有低压降、低导通损耗、低恢复能耗、高频率工作等特点。

ST STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZ 数据手册

这份文件介绍了2005年1月13日发布的STMicroelectronics STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZ N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK内部夹紧PowerMESH™ IGBT的特点和特性，包括高输入阻抗、低导通压降、高电流能力、尾电流包含关、高电压夹紧特性等。

ST STGD3NB60S 数据手册

该文件介绍了STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT的特点和性能，包括高输入阻抗、低导通压降、高电流能力等。

ST STGD3NB60SD 数据手册

STGD3NB60SD 是 STMicroelectronics 生产的一种高压 IGBT，其额定电压为 600 V，额定电流为 3 A，采用 DPAK 封装。

ST STGP3NB60S STGD3NB60S 数据手册

1

ST STGP3NB60M - STGD3NB60M 数据手册

STMicroelectronics设计了一系列具有出色性能的PowerMESH™ IGBTs，采用了基于专利条片布局的最新高压技术。这个系列的IGBTs具有很低的开关时间，适用于高频应用（<20KHZ）。该文件介绍了STGP3NB60M和STGD3NB60M型号的特点和特性。