ST STRH40N6 数据手册 STRH40N6 Rad-Hard P-channel 60 V, 30 A Power MOSFET Datasheet，该产品特点包括快速开关、100% 雪崩测试、真空封装、70 krad TID、SEE 辐射硬化、卫星、高可靠性
ST ST1843, ST1845 数据手册 ST1843和ST1845是耐辐射电流模式PWM控制器，提供行业标准解决方案，用于实现提供离线或DC到DC固定频率电流模式控制方案，具有最少的外部元件计数。其抗辐射性和密封包装使其成为航空航天和其他恶劣环境的理想选择。
ST STRH8N10 数据手册 该文档介绍了STMicroelectronics的STRH8N10 Rad-Hard N-channel 100 V, 6 A Power MOSFET，具有快速开关、100%雪崩测试、密封封装、70 krad TID和SEE辐射硬化等特点。
ST M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C bus EEPROM 数据手册 该文档介绍了M24C16, M24C08, M24C04, M24C02和M24C01这几款支持I²C总线的串行EEPROM芯片的特点和特性。这些芯片具有两线I²C串行接口，支持400kHz协议，单电源电压为2.5V至5.5V或1.8V至5.5V，具有写控制输入、字节和页写入、随机和顺序读取模式、自定时编程周期、自动地址增加、增强的ESD/抗锁存保护、超过100万次写入循环、超过40年的数据保留等特点。
ST STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT 数据手册 STGY50NB60HD是一款N沟道IGBT，具有高输入阻抗、低开通压降、低门极电荷、高电流能力和非常高的频率操作能力等特点。
ST STGY40NC60VD 数据手册 STGY40NC60VD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH™ IGBT是STMicroelectronics公司推出的一款高性能IGBT产品，采用最新的高压技术，具有高电流能力、高频率操作能力、低损耗能力等特点，适用于高频率逆变器、SMPS和PFC等应用场景。
ST STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT 数据手册 STGW50NB60M是一款高压N沟道IGBT，其特点是高输入阻抗（电压驱动）、低导通压降（VCESAT）、低栅极电荷和高电流能力。该器件适用于频率<10kHz的应用场合。
ST STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT 数据手册 STGW50NB60H是一款高压IGBT，具有高输入阻抗、低导通损耗和低开关损耗等特点，适用于高频电机控制、焊接设备等场景
ST STGW39NC60VD N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT 数据手册(1) 这份文档介绍了STMicroelectronics的STGW39NC60VD产品，它是一种N沟道40A-600V-TO-247超快速开关PowerMESH™ IGBT。它具有低CRES / CIES比率，适用于高频操作，非常柔软的超快速恢复反并联二极管。适用于高频逆变器、UPS和电机驱动器感应加热等应用。
ST STGW39NC60VD N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT 数据手册 该文档介绍了一款新产品的初步信息，该产品正在开发或正在评估中。详细信息可能会有所变动。该产品是一款N沟道40A-600V-TO-247超快速切换PowerMESH™ IGBT，具有低CRES / CIES比率、高频操作和非常柔软的超快速恢复反并联二极管等特点。
