ST 说明书

ST M74HC4851 数据手册

该文件介绍了一款名为M74HC4851的产品的特点和特性。该产品是一个单通道8通道模拟多路复用器/解复用器，采用硅门C2MOS技术制造。它具有注入电流效应控制功能，特别适用于汽车应用，可以处理超过正常逻辑电压的电压。注入电流效应控制允许禁用输入通道的信号超出供电电压范围或降至地面，而不影响使能模拟通道的信号。这消除了通常用于保持模拟通道信号的外部二极管-电阻网络的需要。

ST 74LX1G86 SINGLE EXCLUSIVE OR GATE 数据手册

本文档介绍了74LX1G86这款低压CMOS单路异或门的特点和特性。该产品具有5V耐压输入、高速传输、低功耗等特点，并且具有输入和输出的电源保护功能。

ST 74LX1GU04 LOW VOLTAGE CMOS SINGLE INVERTER WITH 5V TOLERANT INPUT 数据手册

74LX1GU04是低压CMOS单反器，具有5V耐压输入，高噪声免疫和稳定输出。它适用于1.65至5.5 VCC操作和低功耗和低噪声应用。

ST 74LX1G32 LOW VOLTAGE CMOS SINGLE 2-INPUT OR GATE WITH 5V TOLERANT INPUT 数据手册

74LX1G32是低压CMOS SINGLE 2-INPUT OR GATE，采用亚微米硅栅和双层金属线路C2MOS技术制造，非常适合1.65至5.5 VCC操作和低功耗和低噪声应用。内部电路由3个阶段组成，包括缓冲输出，提供高噪声免疫和稳定输出。输入和输出提供掉电保护，并且0至7V可以在输入中接受，而不管电源电压如何。它可以在混合3.3/5V系统中将输入接口到5V信号环境。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路。

ST 74LX1G08 LOW VOLTAGE CMOS SINGLE 2-INPUT AND GATE WITH 5V TOLERANT INPUT 数据手册

74LX1G08是一款低电压CMOS SINGLE 2-INPUT AND GATE，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造，适用于1.65至5.5 VCC操作和低功耗和低噪声应用。内部电路由3个阶段组成，包括缓冲输出，可提供高噪声免疫和稳定输出。电源下电保护在输入和输出上提供，0至7V可以不考虑电源电压而接受输入。它可以接口到混合3.3/5V系统中的5V信号环境中的输入。所有输入和输出都配备了防静电保护电路。

ST 74LX1G00 数据手册

74LX1G00是低电压CMOS单2输入Nand门，采用亚微米硅栅极和双层金属布线C2MOS技术制造。内部电路由3个阶段组成，包括缓冲输出，具有高噪声免疫性和稳定输出。所有输入均提供掉电保护，0至7V可在输入端接受，不考虑电源电压。该器件可以用于5V至3V的接口。所有输入和输出都配备了防静电保护电路。

ST L6712 L6712A 数据手册(1)

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ST 74V2G66 数据手册 (2)

74V2G66是一款高性能的CMOS双向开关，采用硅栅C2MOS工艺，具有高速度传输延迟和极低的开启电阻，同时保持真正的CMOS低功耗。该双向开关可处理在整个电源供应范围内（从GND到VCC）变化的轨对轨模拟和数字信号。C输入用于控制开关，它与标准CMOS输出兼容；开关处于ON状态（端口I/O连接到VCC）时，C输入为高电平；开关处于OFF状态（端口I/O连接到GND）时，C输入为低电平。

ST 74LX1G07 数据手册

74LX1G07 是 STMicroelectronics 公司生产的一款低压 CMOS 单缓冲器/驱动器 (开漏)，采用亚微米硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造。内部电路由包括缓冲输出在内的 2 个阶段组成，提供高噪声免疫性和稳定输出。输入上提供电源关断保护，可在不考虑电源电压的情况下接受 0 至 7 V 的输入。该器件可用于接口 5 至 3 V。

ST L6710 数据手册

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ST 74LX1G14 数据手册

74LX1G14是一种低压CMOS单斯密特反相器，采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。它适用于1.65到5.5VCC的操作，并且适用于低功耗和低噪声应用。内部电路由包括缓冲输出在内的3个级别组成，提供高噪声抗扰动和稳定输出。输入和输出具有断电保护，并且可以接受0到7V的输入，而不考虑供电电压。它可以与混合3.3 / 5V系统中的输入信号环境进行接口。引脚配置和功能与74LX1G04相同，但74LX1G14具有滞后特性。结合斯密特触发功能，使其能够用于具有缓慢上升/下降输入信号的线路接收器。输入配备了静电放电保护电路，具有ESD免疫性和瞬态过电压。