ST STGP3NB60H 数据手册 STGP3NB60H 是STMicroelectronics生产的一款N沟道3A-600V TO-220 PowerMESH IGBT，具有高输入阻抗、低开通压降、低门极电荷、高电流能力、高频率运行和开关损耗小等特点。该器件适用于高频电机控制、SMPS和PFC等应用场景。
ST STGP20NC60V/STGW20NC60V 数据手册 STGP20NC60V和STGW20NC60V是ST公司的一款N沟道600V IGBT，该器件采用PowerMESH™技术，具有高频率、高转换效率、低导通损耗等特点，可广泛应用于高频逆变器、SMPS和PFC等领域。
ST STGP12NB60K 数据手册 STGP12NB60K 是ST公司生产的一款N-沟道IGBT，其最大集电极-发射极电压为600V，最大集电极-发射极电压压降为2.8V，最大集电流为18A，最大关断电流为60A，工作频率最高可达50kHz
ST STGP12NB60HD 数据手册 STGP12NB60HD是一款N沟道12A - 600V TO-220 PowerMESH™ IGBT，具有高输入阻抗、低导通电压、低关断损耗、低门极电荷、高电流容量、高频操作和并联与反向并联二极管。
ST STGP12NB60H 数据手册 STGP12NB60H是STMicroelectronics公司生产的一款12A-600V的N-CHANNEL IGBT。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力和高频率工作等特点，主要用于高频率电机控制、SMPS和PFC等应用。
ST STGP10NB60SDFP 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics设计的一款先进的IGBT产品，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流能力和尾电流等特点。产品适用于灯光调节器、静态继电器和电机控制等应用领域。
ST STGP10NB60S 数据手册 STGP10NB60S是一款N沟道MOSFET，额定电压为600V，最大电流为10A，封装类型为TO-220。该器件具有高输入阻抗、低导通压降、高电流能力和低关断损耗等特点，适用于灯光调光、静态继电器和电机控制等应用。
ST STGP10NB37LZ 数据手册 STGP10NB37LZ是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道IGBT，其特点是具有低阈值电压、低导通压降、低栅极电荷、高电流能力和高压钳位。
ST STGP10N60L 数据手册 STGP10N60L是ST公司生产的一款N沟道IGBT器件，其特点是具有高输入阻抗、低导通电压、低阈值电压、高电流容量、低关断损耗等特点，适用于电子点火、灯光调光、静态继电器等应用场合。
ST STGF7NB60SL 数据手册 STGF7NB60SL是STMicroelectronics公司生产的一款N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH™ IGBT，具有低门极电压、低导通电压、低门极电荷和高电流能力等特点。适用于低频应用（<1kHz）。
ST STGF20NB60S 数据手册 STGF20NB60S是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道13A-600V TO-220FP PowerMESH™ IGBT，该产品具有低导通压降、高电流、低开关损耗、高输入阻抗等特点，适用于光调光、静态继电器、电机控制等应用场景。
