FAIRCHILD BSS123 说明书 这份文档介绍了Fairchild公司生产的BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性。这些产品采用了Fairchild专有的高单元密度DMOS技术，旨在最小化导通电阻并提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器和其他开关应用。
FAIRCHILD 2N7002W 说明书 2N7002W 是 Fairchild Semiconductor 生产的 N 型增强型场效应晶体管。该晶体管具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。它符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD 2N7002MTF Advanced Small Signal MOSFET 数据手册 2N7002MTF 是一款N通道小信号MOSFET，其最大导通电阻为5.0 欧姆，额定电压为60V，额定电流为200mA。它具有较低的导通电阻、改进的感应坚韧性、快速的开关时间、较低的输入电容、扩展的安全工作区和改进的高温可靠性。
FAIRCHILD 2N7002KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002KW是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电流等特点。该产品采用超小型表面贴装封装，符合无铅/RoHS标准。
FAIRCHILD 2N7002K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002K是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N型增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小型表面贴装封装等特点。
FAIRCHILD 2N7002DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002DW是一种双N沟道增强模式场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速切换速度、低输入/输出泄漏等特点。它采用超小尺寸表面贴装封装，符合无铅/ROHS标准。
FAIRCHILD 2N7000BU/2N7000TA 说明书 该文件介绍了2N7000BU/2N7000TA产品的特点和特性，包括快速开关时间、改进的电感耐压能力、较低的输入电容、扩展的安全工作区域和改进的高温可靠性。
FAIRCHILD Automotive Solutions Guide Fairchild Semiconductor为汽车电子设计师提供各种电源产品，包括IGBT、MOSFET、电机驱动器、电源转换器等，满足汽车动力系统、电机驱动、电源分配、电控系统等应用需求。
FAIRCHILD 2N3416/2N3417 说明书 2N3416 / 2N3417 NPN General Purpose Amplifier 是一种双极结型晶体管 (BJT)，其最大额定电压为 50 V，最大额定电流为 500 mA。它适用于需要收集器电流高达 300 mA 的通用放大器和开关。
FAIRCHILD FGA25N120ANTD / FGA25N120ANTD_F109 说明书 FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 1200V NPT Trench IGBT是Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient的功率晶体管，该产品具有低饱和电压、低开关损耗和极高的雪崩能力，适用于感应加热、微波炉等应用场合。
FAIRCHILD 2N3390 / 2N3391 / 2N3391A / 2N3392 / 2N3393 说明书 2N3390 / 2N3391 / 2N3391A / 2N3392 / 2N3393是Fairchild Semiconductor Corporation生产的NPN General Purpose Amplifier，该器件最大支持500mA的集电极电流，最大支持25V的集电极-发射极电压和25V的集电极-基极电压。
