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FCA76N60N N-Channel MOSFET，是fairchild推出的，采用了深沟填充工艺的新一代高压超级结MOSFET。该产品具有RDS(on) = 28mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A，Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)，Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特点。