FAIRCHILD FDD7N20/FDU7N20 说明书 FDD7N20/FDU7N20是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDD7N25LZ 说明书 FDD7N25LZ 250V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，它采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和快速的恢复特性。
FAIRCHILD FDD7N60NZ / FDU7N60NZ 说明书 FDD7N60NZ / FDU7N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，具有RDS(on) = 1.05 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.75A，低栅极电荷 ( Typ. 13nC)，低Crss ( Typ. 7pF)，快速开关，100% 雪崩测试，改进的dv/dt 能力，改进的ESD能力，RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDD8424H 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD8424H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET。其中N-Channel的特点是最大rDS(on)为24mΩ，VGS = 10V，ID = 9.0A时；最大rDS(on)为30mΩ，VGS = 4.5V，ID = 7.0A时。P-Channel的特点是最大rDS(on)为54mΩ，VGS = -10V，ID = -6.5A时；最大rDS(on)为70mΩ，VGS = -4.5V，ID = -5.6A时。此外，该MOSFET具有快速开关速度和符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD8424H_F085A 说明书 FDD8424H_F085A是Fairchild Semiconductor生产的一种双N和P通道增强型功率MOSFET。它具有40V的导通电压和20A的最大电流，开关速度快，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD8444 说明书 FDD8444是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其特点是典型rDS(on)为4mΩ，典型Qg(10)为89nC，具有低Miller充电和低Qrr体二极管特性，通过了AEC Q101和RoHS认证，可应用于汽车发动机控制、动力传动管理、电磁阀和电机驱动、电子变速器、分布式电源架构和VRM以及12V系统的主开关等
FAIRCHILD FDD8445 说明书 该文件介绍了FDD8445 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低RDS(ON)，低Miller电荷，低Qrr体二极管，UIS功能，符合AEC Q101标准，RoHS合规等。该产品适用于汽车发动机控制、动力总成管理、电磁阀和电机驱动、电子变速器、分布式电源架构和VRM以及12V系统的主开关等应用。
FAIRCHILD FDD8447L 说明书 FDD8447L 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V、50A、8.5mΩ的MOSFET，具有低rDS(on)和优化的BVDSS能力，在应用中具有出色的性能优势。
FAIRCHILD FDC6327C 说明书 FDC6327C是一种双N和P通道2.5V指定的PowerTrenchTM MOSFET。它使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门针对最小化开关状态电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件经过设计，在非常小的占地面积内提供出色的功耗，对于那些更大、更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装不切实际的应用非常有用。
FAIRCHILD FDC6333C 说明书 FDC6333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件采用SuperSOT-6封装，具有小巧的外形和低厚度，非常适合对功耗和外形尺寸要求苛刻的应用场合。
FAIRCHILD FDC634P 说明书 这份文件介绍了一款P-Channel 2.5V特定功率MOSFET，采用Fairchild低压PowerTrench工艺，为电池电源管理应用进行了优化。产品特点包括：-3.5A，-20V的漏源电阻，80 mΩ @ VGS = –4.5V，110 mΩ @ VGS = –2.5V；低栅极电荷（7.2 nC typ）；高性能沟道技术，极低漏源电阻。
FAIRCHILD FDC637AN 说明书 FDC637AN是Fairchild Semiconductor生产的N沟道功率管, 额定电压2.5V, 最大电流6.2A, 采用PowerTrench工艺, 具有低RDS(ON), 低栅极电荷等特点
FAIRCHILD FDC637BNZ 说明书 FDC637BNZ N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一种高性能的N沟道MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor 的先进PowerTrench®工艺，具有非常低的导通电阻和低栅极电荷，提供卓越的开关性能。与标准的SO-8和TSSOP-8封装相比，该器件具有非常小的占地面积和优异的功耗性能。
FAIRCHILD FDC638APZ 说明书 FDC638APZ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一种 P 通道 2.5V 指定 MOSFET，具有极低的 rDS(on) 和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
