FAIRCHILD FDMA8884 说明书 本文档介绍了2012年4月发布的FDMA8884 N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能沟道技术、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDMA8878 说明书 FDMA8878是一款单N通道高性能Power Trench MOSFET，具有极低的RDS(on)、快速的切换速度，符合RoHS标准。应用领域包括DC/DC Buck转换器、笔记本电池供电管理等。
FAIRCHILD FDMA7628 说明书 这是一份关于FDMA7628单N通道1.5V规定的PowerTrench® MOSFET的文档。该产品具有最大rDS(on)为14.5 mΩ，最大电压为20V，最大电流为9.4A，最大功耗为1.9W。它采用了低剖面设计，尺寸为2x2mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA3028N 说明书 FDMA3028N是由Fairchild Semiconductor Corporation公司发布的双N通道PowerTrench®MOSFET，其最大特点是开关电阻小，最小可以达到68mΩ，同时具有低封装体积和高导热性。
FAIRCHILD FDMA1028NZ 说明书 该产品是一款双N通道功率晶体管，可以满足手机和其他超便携应用中对双开关的需求。它具有两个独立的N通道MOSFET，开关阻抗低，导通损耗小。该产品在物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
FAIRCHILD FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 说明书 FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 是一款60V、80A、3.8mΩ的N沟道PowerTrench® MOSFET，其特点包括：rDS(ON) = 3.5mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 80A；Qg(tot) = 95nC（典型值），VGS = 10V；低Miller电荷；低QRR体二极管；UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。
FAIRCHILD FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0 说明书 FDP047AN08A0/FDI047AN08A0/FDH047AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率晶体管，其最大漏-源电压为75V，最大漏电流为80A，最大导通电阻为4.7mΩ。该产品具有低米勒充电、低QRR体二极管、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）等特点，可用于42V汽车负载控制、起动/发电机系统、电子动力转向系统、电子阀门传动系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。
FAIRCHILD FDG8850NZ 说明书 FDG8850NZ是Fairchild公司生产的双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，使用Fairchild专有的高密度DMOS技术，具有非常低的导通电阻，非常适合3V电路使用。
FAIRCHILD FDG8842CZ 说明书 FDG8842CZ Complementary PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能、低压开关元件，可满足低压应用的需求。该器件采用Fairchild专有的高单元密度DMOS工艺，具有极低的开关损耗，可用于各种低压应用。
FAIRCHILD FDMC86248 说明书 FDMC86248 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能产品，具有最大电阻率为90 mΩ的特点，可用于主要MOSFET和MV同步整流器MOSFET等应用。
FAIRCHILD FDMC86244 说明书 FDMC86244是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道功率MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，具有低RDS(on)和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDMC86240 说明书 FDMC86240 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的高性能MOSFET，其最大导通电阻仅为51 mΩ，适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDMC8622 说明书 FDMC8622是Fairchild Semiconductor推出的一款N通道MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于POE保护开关。
FAIRCHILD FDMC86160 说明书 FDMC86160 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款 100V、43A、14 mΩ 的 MOSFET。该 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺，专门针对最小化导通电阻而定制。该器件非常适合需要在小空间内实现极低 RDS（on） 的高性能 VRM、POL 和 orring 功能的应用。
FAIRCHILD FDMC86116LZ 说明书 FDMC86116LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种逻辑电平MOSFET，其最大RDS(on)为103 mΩ，最大电流为7.5 A。它具有HBM ESD保护等级> 3 KV，100% UIL测试，RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDMC86102LZ 说明书 FDMC86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制成，具有出色的开关性能和高ESD保护等特性。
FAIRCHILD FDMC86102L 说明书 FDMC86102L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道Power Trench® MOSFET，额定电压为100V，额定电流为18A，额定导通电阻为23mΩ。该产品具有超低的导通电阻，低封装高度，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMC86102 说明书 FDMC86102 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一种高性能的功率MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度，可应用于DC-DC转换电路。
FAIRCHILD FDMC8588DC 说明书(1) FDMC8588DC是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有25V、40A、5.7 mΩ的特点。它具有先进的开关性能，降低了输出电容、门电阻和门电荷，提高了效率。采用屏蔽门技术，减少开关节点振铃，并增加了抗电磁干扰和交叉导通的能力。
