FAIRCHILD FDB86102LZ 说明书 FDB86102LZ是一款N-沟道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏极到源极电压，30A的漏极电流和24mΩ的最大导通电阻。它具有快速的开关速度和非常低的总电荷和栅极-漏极总电荷，适用于DC-DC转换、逆变器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDB8443 说明书 FDB8443 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V，182A，3.0mΩ的功率MOSFET，具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)等特点。
FAIRCHILD FDP8030L/FDB8030L 说明书 该数据手册详细介绍了FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 的特点特性。
FAIRCHILD FDB5800 说明书 该文件介绍了FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有低Rdson、低门电荷、高功率和电流处理能力等特点，适用于电机/负载控制、ABS系统、动力传动管理、喷油系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。
FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 说明书 该文档介绍了FDB3682 / FDP3682 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力以及适用的应用领域。
FAIRCHILD FDB28N30 说明书 该文件介绍了FDB28N30 N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试以及改进的dv/dt能力。
LOWRANCE X87, X88DF, X97, X98DF Fish-finding & Depth Sounding Sonars Operation Instructions 本手册介绍了X87, X88DF, X97, X98DF鱼探仪和测深声纳的功能和规格, 以及如何安装和使用这些设备。
FAIRCHILD FDD3860 说明书 FDD3860是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻，并且通过了100%的UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD3682 说明书 FDD3682 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 100V 的最大电压、32A 的最大电流和 36mΩ 的典型导通电阻。该产品采用 PowerTrench 技术，具有低米勒电荷和低 QRR 体二极管特性，通过了 AEC Q101 认证，适用于 DC/DC 转换器和离线 UPS、分布式电源架构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V 汽车负载控制和电子凸轮轴系统等应用。
FAIRCHILD FDD3680 说明书 该文件介绍了FDD3680型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高直流/直流转换器的整体效率而设计。它具有更快的开关速度和更低的门电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和更安全驱动（甚至在非常高的频率下）。通过使用这种MOSFET，可以设计具有更高整体效率的直流/直流电源。
FAIRCHILD FDD2582 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66mOhm 数据手册 FDD2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型MOSFET，最大电压为150V，最大电流为21A，典型导通电阻为58mΩ。
FAIRCHILD FDD18N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了FDD18N20LZ N-Channel MOSFET的特点特性，包括最大额定电压、最大漏极电流、热特性等。
