FAIRCHILD FDME820NZT 说明书 该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。
FAIRCHILD FDMQ8203 说明书 FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。
FAIRCHILD FDMQ8403 说明书 FDMQ8403是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N通道功率MOSFET，额定电压为100V，额定电流为6A，最大导通电阻为110mΩ。
FAIRCHILD FDMS039N08B 说明书 FDMS039N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低FOM、低反向恢复电荷的N沟道MOSFET，适用于同步整流、电池充电器、电机驱动等应用
FAIRCHILD FDMS2508SDC 说明书 FDMS2508SDC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该器件采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS(on)和极低的Junction-to-Ambient热阻，非常适合DC/DC转换器、电信二次侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET应用。
FAIRCHILD FDMS3008SDC 说明书 该数据表格详细介绍了FDMS3008SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特性、规格、应用场景等信息。
FAIRCHILD FDMS8570S 说明书 FDMS8570S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是一款高性能的功率器件，采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造。该器件具有极低的 Rds（on），非常适合 DC/DC 转换器、电信二级侧整流器和高端服务器/工作站等应用。
FAIRCHILD FDMS8558SDC 说明书 FDMS8558SDC N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款低阻抗的N沟道同步整流器，采用先进的PowerTrench®工艺，在极低的结温下实现了最高的转换效率。
FAIRCHILD FDMS8558S 说明书 FDMS8558S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻和同步肖特基体二极管。
FAIRCHILD FDMS8460 说明书 FDMS8460 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是最大导通电阻(RDS(on))仅为2.2mΩ。适用于DC-DC转换应用场景。
FAIRCHILD FDMS8320L 说明书 该FDMS8320L N-Channel PowerTrench® MOSFET具有低rDS(on)和高效率，适用于OringFET / Load Switching、Synchronous Rectification和DC-DC Conversion Power等场景
ROHM MMST918 / PN918 数据手册 该文档介绍了MMST918 / PN918半导体器件的特点和特性，包括高频率传输和高电流增益带宽积。同时提供了器件的封装、标记和包装规格以及绝对最大额定值和外部尺寸信息。
FAIRCHILD FDMS8027S 说明书 FDMS8027S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® SyncFETTM，其最大电压为30V，最大电流为22A，最小导通电阻为5.0mΩ。这款器件具有高效率、低导通电阻和良好的开关性能。
FAIRCHILD FDMS8026S 数据手册 FDMS8026S是一款N通道PowerTrench® SyncFETTM功率MOSFET，工作电压为30V，最大漏源电阻为4.3mΩ，最大漏源电阻为5.2mΩ。该产品采用先进的封装和硅组合技术，可实现低漏源电阻和高效率。此外，它还具有高效的单片式肖特基二极管。适用于直流/直流转换器的同步整流器、笔记本电脑的Vcore/GPU低侧开关、网络点对点低侧开关和电信的二次侧整流。
FAIRCHILD FDMS8025S 数据手册 FDMS8025S N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30 V, 49 A, 2.8 mΩ 是一款高性能的功率器件，采用先进的封装和硅片技术相结合，具有超低的导通电阻、低损耗、高效率、高可靠性等特点。
FAIRCHILD FDMS8023S 数据手册 本文件介绍了FDMS8023S N通道PowerTrench® SyncFETTM，这是一种高性能的同步整流器，可用于DC/DC转换器、笔记本电脑Vcore/GPU低侧开关、网络点负载低侧开关和电信次级侧整流器。该器件采用最先进的硅和封装技术，在保持出色开关性能的同时，提供最低的rDS(on)。
FAIRCHILD FDMS8020 数据手册 这份FDMS8020 N-Channel PowerTrench® MOSFET的datasheet介绍了该产品的特点特性，包括最大RDS(on)、封装、应用场景等
FAIRCHILD FDMS8018 数据手册 FDMS8018是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，工作电压为30V，最大工作电流为120A，最大导通电阻为1.8mΩ。它采用先进的封装和硅材料组合，具有低导通电阻和高效率的特点。此外，它还采用了下一代增强型体二极管技术，以实现软恢复。适用于桌面和服务器的VRM Vcore开关、OringFET/负载开关、DC-DC转换和电机桥开关等应用。
FAIRCHILD FDMS7698 说明书 FDMS7698 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一种高效的N通道MOSFET，具有低栅极电荷、低Rds（on）、快速切换速度和体二极管反向恢复性能。
