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FAIRCHILD FDB082N15A 说明书

该数据表是 FDB082N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 的数据表，该 mosfet 具有 RDS(on) = 6.7mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A，快速开关速度，低栅极电荷，高性能沟槽技术，极低 RDS(on)，高功率和电流处理能力，符合 RoHS 标准。

FAIRCHILD FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 说明书

该数据手册提供了FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性，包括额定电压、额定电流、漏源电阻、门源电压、栅极到源极电压等。

FAIRCHILD FDB031N08 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDB031N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 235A, 3.1mΩ的特点和特性，包括快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟道技术以实现极低的通态电阻、高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDA8440 说明书

FDA8440 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款40V，100A，2.1mΩ的功率MOSFET。主要应用于汽车发动机控制，动力总成管理，电动机，电磁铁，电子转向，集成起动器/交流发电机，分布式功率架构和VRMs等领域。

FAIRCHILD FDA38N30 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDA38N30 N型MOSFET，特点包括300V的漏源电压、38A的漏极电流、0.085Ω的导通电阻、低栅极电荷、快速开关、100%的电击测试等。该产品适用于高效的开关模式电源和有源功率因数校正。

FAIRCHILD FDA28N50F 说明书

这份文件介绍了Fairchild公司的UniFET TM FDA28N50F N-Channel MOSFET，该产品具有500V的电压、28A的电流和0.175Ω的电阻。其特点包括低门电荷、低输出电容、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力和符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDA28N50 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的UniFET TM FDA28N50 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的额定电压、28A的额定电流、0.155Ω的导通电阻等。

FAIRCHILD FDA18N50 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation公司的UniFET TM FDA18N50 500V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括19A的电流、500V的电压、低的电荷和电容、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDA032N08 说明书

FDA032N08是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷、高性能Trench技术等特点，适用于DC/DC转换器/同步整流等应用场合。

Allegro SI-3018LSA 说明书

The SI-3018LSA is a low-voltage, high-current 1.8 V linear regulator designed to meet the requirement for increased integration and reliability in low-voltage, high-current, linear regulator applications such as personal computers (PCs) and set-top boxes.

FAIRCHILD FCP380N60E / FCPF380N60E 说明书

FCP380N60E / FCPF380N60E是Fairchild Semiconductor Corporation的600V N沟道MOSFET，其最大额定值为600V，最大关断电阻为380mΩ，具有超低栅极电荷和低有效输出电容。

LOWRANCE X-28 安装使用说明书

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FAIRCHILD FDC6318P 说明书

这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDC6318P双路P通道1.8V PowerTrench MOSFET。该产品采用先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷，从而实现了卓越的开关性能。

LOWRANCE X-28, X-38, X-48 安装使用说明书

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FAIRCHILD FDC608PZ 说明书

FDC608PZ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能MOSFET器件，采用先进的PowerTrench工艺，具有低阻态电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用。

LOWRANCE X51/X58DF 安装使用说明书

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FAIRCHILD FDB8896 说明书

该文件介绍了FDB8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，该产品专为提高同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过了低门电荷、低rDS(ON)和快速开关速度的优化。

FAIRCHILD FDP8880/FDB8880 说明书

FDP8880 / FDB8880是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是高性能沟槽技术，能够实现极低的rDS(ON)，低栅极电荷，高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDB8860 说明书

FDB8860 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(ON)，低Qg(5)的N通道逻辑电平功率MOSFET，具有UIS能力，符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDB86135 说明书

FDB86135 N-Channel PowerTrench MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷、非常低的RDS(on)和高功率和电流处理能力。