Search Manuals

FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册

FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。

FAIRCHILD FDD050N03B N-Channel PowerTrench78 MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、低栅电荷、高功率和电流处理能力等。

FAIRCHILD FDC8886 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

FDC8886是Fairchild Semiconductor生产的一种高性能N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为23mΩ，可实现快速开关速度。

FAIRCHILD FDC8884 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDC8878 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDC8878 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDC86244 说明书

FDC86244 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET ，具有极低的 rDS(on) ，可实现高速切换，适用于负载开关、同步整流器和主开关等应用

FAIRCHILD FDC8602 说明书

FDC8602是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench MOSFET，具有极低的RDS(on)，高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流应用。

FAIRCHILD FDC8601 说明书

FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。

FAIRCHILD FDC855N 说明书

FDC855N是Fairchild Semiconductor生产的N通道逻辑级MOSFET，具有30V、6.1A、27mΩ的特点，适用于低压和电池供电的应用场合。

FAIRCHILD FDC658P 说明书

FDC658P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于笔记本电脑应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。

FAIRCHILD FDC658AP 说明书

该文件介绍了FDC658AP单P通道逻辑电平PowerTrench® MOSFET的特点和特性，适用于电池管理、负载开关、电池保护和DC/DC转换等应用。

FAIRCHILD FDC638P 说明书

该文件介绍了一种P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET产品，采用Fairchild Semiconductor的先进工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用，包括负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。

FAIRCHILD FDC638APZ 说明书

FDC638APZ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一种 P 通道 2.5V 指定 MOSFET，具有极低的 rDS(on) 和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。

FAIRCHILD FDD8447L 说明书

FDD8447L 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V、50A、8.5mΩ的MOSFET，具有低rDS(on)和优化的BVDSS能力，在应用中具有出色的性能优势。

FAIRCHILD FDD8445 说明书

该文件介绍了FDD8445 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低RDS(ON)，低Miller电荷，低Qrr体二极管，UIS功能，符合AEC Q101标准，RoHS合规等。该产品适用于汽车发动机控制、动力总成管理、电磁阀和电机驱动、电子变速器、分布式电源架构和VRM以及12V系统的主开关等应用。

FAIRCHILD FDD8444 说明书

FDD8444是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其特点是典型rDS(on)为4mΩ，典型Qg(10)为89nC，具有低Miller充电和低Qrr体二极管特性，通过了AEC Q101和RoHS认证，可应用于汽车发动机控制、动力传动管理、电磁阀和电机驱动、电子变速器、分布式电源架构和VRM以及12V系统的主开关等

FAIRCHILD FDD8424H_F085A 说明书

FDD8424H_F085A是Fairchild Semiconductor生产的一种双N和P通道增强型功率MOSFET。它具有40V的导通电压和20A的最大电流，开关速度快，符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDD8424H 说明书

这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD8424H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET。其中N-Channel的特点是最大rDS(on)为24mΩ，VGS = 10V，ID = 9.0A时；最大rDS(on)为30mΩ，VGS = 4.5V，ID = 7.0A时。P-Channel的特点是最大rDS(on)为54mΩ，VGS = -10V，ID = -6.5A时；最大rDS(on)为70mΩ，VGS = -4.5V，ID = -5.6A时。此外，该MOSFET具有快速开关速度和符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDD6780A / FDU6780A_F071 说明书

FDD6780A / FDU6780A_F071 N-Channel Power Trench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 推出的一款 25 V、8.6 mΩ 的 MOSFET，适用于桌面计算机和服务器的 Vcore DC-DC 和 VRM 应用。该器件具有低门极电荷、低 rDS(on) 和快速开关速度。

FAIRCHILD FDD6778A 说明书

FDD6778A N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款N通道MOSFET，其最大特点为低栅极电荷、低RDS(on)和快速开关速度。该器件可用于改进使用同步或常规开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。