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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDA38N30 N型MOSFET，特点包括300V的漏源电压、38A的漏极电流、0.085Ω的导通电阻、低栅极电荷、快速开关、100%的电击测试等。该产品适用于高效的开关模式电源和有源功率因数校正。
文件格式: PDF
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MD5: 0314276952167158FB8923E91A1A4E3F
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDA38N30 说明书 PDF