FAIRCHILD FDP603AL / FDB603AL 数据手册 FDP603AL/FDB603AL是Fairchild生产的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，具有极低的RDS(ON)，最大结温为175°C。
ST AN3406 数据手册 本文档介绍了一个基于STM32W108板和Wireshark的PC软件应用程序，用于捕获和显示2.4 GHz的IEEE 802.15.4流量。该应用程序需要使用兼容的IEEE 802.15.4板与Wireshark进行接口，作为无线协议分析仪或数据包嗅探器。Wireshark是一个完整的开源网络协议分析仪，广泛用于故障排除、分析、开发和教育。它使您能够检查数百种协议，包括IEEE 802.15.4和大多数相关的上层协议，如Zigbee和6LoWPAN。
FAIRCHILD FDP6644/FDB6644 数据手册 本文件是关于FDP6644/FDB6644 30V N-Channel PowerTrench MOSFET的技术手册。该器件具有50A、30V、RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V、RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5 V、低栅极电荷（27 nC 典型值）、快速开关速度、高性能沟槽技术，用于极低 RDS(ON) 的DC/DC电源设计。
FAIRCHILD FDP6644S/FDB6644S 数据手册 该文件介绍了一种30V N沟道功率MOSFET，该MOSFET设计用于在同步DC:DC电源中替代单个MOSFET和并联的肖特基二极管。它具有低RDS(ON)和低栅极电荷，可最大限度地提高功率转换效率。此外，该MOSFET还包括一个使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
FAIRCHILD FDP6670AL/FDB6670AL 数据手册 FDP6670AL/FDB6670AL是一款逻辑级MOSFET，具有快速开关和低栅极电荷的特点，非常适合设计高效率的DC/DC电源。
FAIRCHILD FDP6670AS/FDB6670AS 数据手册 FDP6670AS/FDB6670AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™是一种用于同步DC:DC电源的MOSFET。它通过提供低RDS(ON)和低栅极电荷，最大限度地提高电源转换效率。
FAIRCHILD FDP6690S/FDB6690S 数据手册 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™ 是用于同步 DC:DC 电源的 N 沟道 MOSFET，该 MOSFET 设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低 RDS(ON) 和低栅极电荷。
FAIRCHILD FDP6670S/FDB6670S 数据手册 FDP6670S/FDB6670S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™是Fairchild Semiconductor Corporation发布的具有低RDS(ON)和低门极电荷的30V MOSFET，适用于同步DC:DC电源中作为低侧开关。
ST AN3968 Application note 本应用笔记介绍了使用STM32F407/STM32F417的以太网通信接口进行In-Application Programming (IAP)的实现解决方案。提供了两个基于LwIP TCP/IP协议栈的实现方案：TFTP和HTTP。
ST AN3967 Application note 本应用说明提供一个基于开源的SSL/TLS库PolarSSL的演示包, 该演示包为STM32F417xx设备提供了SSL/TLS的移植和使用示例, 支持IP、UDP、TCP、ICMP协议
ST AN3966 Application note 本文档介绍了 STM32F407/STM32F417 微控制器的 LwIP TCP/IP 协议栈演示包，该协议栈支持 MII 和 RMII 接口，支持本地或广域网通信。
FAIRCHILD FDP8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mΩ 数据手册 FDP8870是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，额定电压为30V，额定电流为156A，其特点是导通电阻低（4.1mΩ），开关速度快
ST AN3965 Application note STM32F40x/STM32F41x in-application programming using the USART 该文档介绍了STM32F40x/STM32F41x型号微控制器的应用程序设计中使用USART进行固件更新的方法。
FAIRCHILD FDP8880 / FDB8880 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 54A, 11.6mΩ 数据手册 FDD8880是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET。特点是rDS(ON) = 11.6mΩ, VGS = 10V, ID = 40A，可用于DC/DC转换器。
FAIRCHILD FDP8896 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 92A, 5.9mΩ 数据手册 FDP8896 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，额定最大电压为 30V，最大电流为 92A，导通电阻为 5.9mΩ。该器件适用于 DC/DC 转换器。
ST AN3960 Application note ESD considerations for touch sensing applications 本文档介绍了静电放电（ESD）的概念、原因和风险。同时，还讨论了ESD模拟和测试的方法，以及常用的ESD保护技术。通过对STM8T142-EVAL评估板进行测试，展示了一些在本应用文档中详细介绍的保护方法的测试结果。
