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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了一种30V N沟道功率MOSFET，该MOSFET设计用于在同步DC:DC电源中替代单个MOSFET和并联的肖特基二极管。它具有低RDS(ON)和低栅极电荷，可最大限度地提高功率转换效率。此外，该MOSFET还包括一个使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
文件格式: PDF
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MD5: 6C75607F1F80E673DA36B510B718D5D1
发布时间: 07 August, 2012
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连接: FAIRCHILD FDP6644S/FDB6644S 数据手册 PDF