ST STEVAL-ISA028V1 Single phase 20 A step-down converter evaluation board based on the L6727 数据手册 该文件是关于STMicroelectronics的STEVAL-ISA028V1单相20A降压转换器评估板的数据简报。评估板基于L6727芯片，具有12V输入/1.25V输出@20A的优化BOM，适用于广泛的设计。支持定制化输出电压，兼容L6726A/L6727控制器，输入电压范围为5V至12V，最高输入电压为13.2V。支持DPAK / SO-8 / PowerSO-8 / PowerFLAT MOSFET，具备多种输入和输出电容器的安装方式，支持贴片和插件电感器，PCB为4层结构。该评估板展示了STMicroelectronics L6727芯片的关键功能，该芯片是一款功能强大的降压控制器，能够简化和降低成本，提供完整的降压电压稳压器解决方案。
ST EVL6562A-TM-80W 数据手册 EVL6562A-TM-80W是ST公司生产的一款80W高性能转换模式PFC评估板，具有88-265VAC的线电压范围、400V的稳压输出电压、80W的额定输出功率、10V的最大2FL输出电压纹波、20ms的保持时间、35kHz的最小开关频率、92%的最低估计效率和50°C的最大环境温度。
ST STEVAL-MKI006V1 数据手册(1) 该数据简报介绍了STEVAL-MKI006V1评估板，该板基于LIS302DL低功耗3轴线性加速度计，具有数字输出。该板包括一个传感元件和一个IC接口，能够将传感元件的信息转换为可用于外部应用的测量信号。除了MEMS传感器之外，评估板还利用ST7-USB微控制器，该微控制器充当传感器和PC之间的桥梁，可以在PC上使用随附的图形用户界面（GUI）或用于定制应用程序的专用软件例程。
ST STP20NF06/STF20NF06 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronis公司生产的STP20NF06和STF20NF06型号的N沟道功率MOSFET。这些MOSFET具有低导通电阻、耐压性能强、工作温度高、高dv/dt能力等特点。适用于直流电机控制和直流-直流、直流-交流转换器等应用。
ST STD9NM60N/STD9NM60N-1/STP9NM60N/STF9NM60N 数据手册 该文件介绍了2005年5月1/9 STF24NF12 N-CHANNEL 120V - 0.070Ω - 24A - TO-220FP低门电荷STripFET™II MOSFET的特点和特性。
ST STP20NM60FD/STF20NM60D/STW20NM60FD 数据手册 STP20NM60FD / STF20NM60D / STW20NM60FD 是 N 通道 600V - 0.26Ω - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh™ POWER MOSFET (with FAST DIODE)，具有典型的 RDS(on) = 0.26Ω、高 dv/dt 和雪崩能力、100% 雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻、严格的工艺控制和高制造良率。它强烈推荐用于桥接拓扑，特别是 ZVS 相移变换器。应用包括 ZVS 相移全桥变换器用于 SMPS 和焊接设备。
ST STP22NM60/STF22NM60/STB22NM60/STB22NM60-1/STW22NM60 数据手册 STP22NM60是ST公司的一款N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh™Power MOSFET，具有低输入电容和门极电荷，100%防雪崩测试，非常适合提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高效率。
ST STP25NM60N, STF25NM60N, STB25NM60N/-1, STW25NM60N 数据手册 STP25NM60N 是一款由第二代 MDmesh 技术制造的 N 沟道 600V 0.140 欧姆 - 20A TO-220 / FP / D² / I²PAK / TO-247 功率 MOSFET。它具有世界上最低的导通电阻和门极电荷。它非常适合最苛刻的高效转换器。
interpoint STF28-461 EMI INPUT FILTER 数据手册 STF28-461 EMI FILTER 0.8 AMP EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT 是 Interpoint 公司生产的用于 SMSA flyback power converters 的 EMI 滤波器。
ST STQ2HNK60ZR-AP/STF2HNK60Z/STD2HNK60Z-1 数据手册 这是ST发布的STQ2HNK60ZR-AP，STF2HNK60Z，STD2HNK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 4.4Ω - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET的数据手册。该系列产品具有极高的dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新的高电压基准，门极电荷最小化等特点。
ST STF2NK60Z/STQ2NK60ZR-AP/STP2NK60Z/STD2NK60Z-1 数据手册 STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2Ω - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET 是ST公司生产的一款高性能MOSFET器件，其特点是RON典型值为7.2Ω，极高dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新一代高压基准，栅极电荷最小化。适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源(SMPS)、低功率、镇流器、CFL(紧凑型荧光灯)等应用。
ST STF40NF06 数据手册 该文件介绍了STF40NF06 N-CHANNEL MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、高dv/dt能力、低栅极电荷等。该产品适用于DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、高电流高速开关以及电磁阀和继电器驱动等应用。
SemiWell Semiconductor STF4A60 数据手册 该文档介绍了STF4A60半导体器件的绝对最大额定值和电气特性。该器件具有重复峰值关断电压为600V，R.M.S导通电流为4A等特点，适用于与TTL、HTL、CMOS直接耦合的应用。
ST STP6NK50Z/STF6NK50Z/STD6NK50Z 数据手册 STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93Ω - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET是ST公司推出的一款高性能MOSFET器件，其典型RDS(on)为0.93Ω，非常适合于对开关速度要求较高的高电流应用，如开关电源、适配器和PFC等。
ST STP6NK70Z/STF6NK70Z 数据手册 STP6NK70Z是ST公司生产的一款N沟道700V - 1.5Ω - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™MOSFET，其特点是典型RDS(on) = 1.5 Ω，极高dv/dt能力，改进的ESD能力，100% Avalanche Rated，最小化Gate Charge，非常低的Intrinsic Capacitances，非常好的制造重复性。
ST STP9NK60ZD/STF9NK60ZD/STB9NK60ZD 数据手册 该文件介绍了STP9NK60ZD - STF9NK60ZD - STB9NK60ZD三款N沟道超级FREDMesh™ MOSFET产品的特点特性，包括低电阻、高dv/dt能力、100%耐电压测试、最小化栅电荷、低固有电容和快速内部恢复二极管。
ST STP08C596 数据手册 STP08C596是STMicroelectronics公司的一款8位恒流LED驱动芯片，具有8个恒流输出通道，可通过外部电阻调整输出电流，支持串行输入/并行输出，在时钟下降沿时发生状态切换，输出电流范围为15-120mA，时钟频率为25MHz，封装类型为DIP-16、SO-16、TSSOP-16。
