Search Manuals

ST STP08CDC596 数据手册

STP08CDC596是一款单片、中压、低电流功耗的8位移位寄存器，专为LED面板显示设计。它包含一个8位串行输入、并行输出的移位寄存器，通过8个调节的恒流源为LED提供15-120mA的恒定电流驱动。STP08CDC596还具有内置的错误检测功能，能够检测LED线路的断开、短路到地、短路到LED电压供应等情况。用户可以通过外部电阻调节STP08CDC596的输出电流，控制LED的亮度。

ST STP08CDC596 数据手册(1)

STP08CDC596是一款8位移位寄存器，采用了集成的错误检测功能，可以检测LED线路开路和短路，短接到GND，以及短接到LED电压供应。通过外部电阻，用户可以调整STP08CDC596的输出电流，控制LED的亮度。

ST STP08CL596 数据手册

STP8CL596是STMicroelectronics公司推出的一款中压低电流大功率8位移位寄存器，专为LED面板显示而设计。

ST STEVAL-IFP006V1 数据手册

该文件介绍了STMicroelectronics生产的STEVAL-IFP006V1四路高侧智能功率固态继电器评估板的特点和特性，包括短路负载保护、温度保护、过温保护、失地保护、电流限制等功能。该产品适用于可编程逻辑控制器（PLC）以及需要高达0.7A额定电流的一般负载驱动。具有低功耗和符合IEC 61131-2国际标准的特点。

ST STEVAL-ISA026V1 数据手册

该数据简介提供了STEVAL-ISA026V1评估板的详细信息。该板是一款降压DC-DC转换器，输入电压范围为4.5 V至14 V，输出电压为3.3 V，可选择250 kHz或500 kHz的开关频率。该板还具有过压保护和热关断功能。

ST STGP10NB60SFP 数据手册

STGP10NB60SFP是意法半导体出品的N沟道IGBT，最大电压600V，最大电流10A，封装类型为TO-220FP。

ST STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z/-1, STW10NK60Z 数据手册

STB10NK60Z is a 600V-0.65Ω-10A N-channel Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET. It features a typical RDS(on) = 0.65 Ω, extremely high dv/dt capability, 100% avalanche tested, minimized gate charge and very low intrinsic capacitances. It is ideal for high current, high speed switching applications such as off-line power supplies, adaptors and PFC.

ST STP11NM60/STP11NM60FP/STB11NM60/STB11NM60-1 数据手册

该文件介绍了ST公司的MDmesh™功率MOSFET产品系列，包括STP11NM60、STP11NM60FP、STB11NM60和STB11NM60-1型号。这些产品具有低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性，适用于提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高的效率。

ST STP11NM60A/STP11NM60AFP/STB11NM60A-1 数据手册

STP11NM60A/STP11NM60AFP/STB11NM60A-1是ST公司生产的一款N-CHANNEL 600V - 0.4Ω - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh™Power MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt、低输入电容和栅极电荷、低门极输入电阻等特点。

ST STP11NM60FD/STB11NM60FD/STP11NM60FDFP/STB11NM60FD-1 数据手册

STB11NM60FD-1 是 ST 公司的 600V N 沟道 MOSFET ，RDS(on) 典型值为 0.45 欧姆，具有高 dv/dt 和雪崩能力，100% 雪崩测试，低输入电容和栅极充电，低栅极输入电阻，紧密的工艺控制和高制造良率。

SemiWell Semiconductor STP12A60 数据手册

STP12A60是SemiWell Semiconductor公司生产的一款双向三极晶闸管，其最大反向关断电压为600V，额定正向电流为12A，具有高开关dv/dt特性，适用于交流开关应用、相控应用等

ST STP12PF06 数据手册

STP12PF06 是STMicroelectronics 生产的一款N沟道电源MOS管，其最大特点是RDS(on) 低至0.18 欧姆，具有优异的dv/dt 能力，100% 雪崩测试，低栅极电荷，可应用于电机控制、DC-DC 和DC-AC 转换器等

ST STP13NK60Z/FP, STB13NK60Z, STB13NK60Z-1, STW13NK60Z 数据手册

该文件介绍了ST公司生产的一系列超级MESH功率MOSFET产品的特点和特性。这些产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷和非常低的固有电容。适用于高电流、高速开关、离线电源、适配器和PFC以及照明等应用。

ST STP14NF06 数据手册

1

ST STP14NK60Z, STP14NK60ZFP, STB14NK60Z/-1, STW14NK60Z 数据手册

该文件介绍了一系列SuperMESH™ MOSFET产品的特点和特性，包括600V的工作电压、0.45Ω的RDS(on)、极高的dv/dt能力和100%经过雪崩测试等。这些产品适用于高电流、高速开关应用，特别适用于离线电源、适配器和功率因数校正器。

ST STP15N06L/STP15N06LFI 数据手册

STP15N06L STP15N06LFI 是STMicroelectronics生产的一款N沟道增强型功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.115 欧姆。该晶体管适用于高电流、高速度开关、继电器驱动器、稳压器、DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、汽车环境(喷射、ABS、气囊、灯驱动器等)。

SemiWell Semiconductor STP16A60 数据手册

该文件介绍了STP16A60双向三极晶闸管的绝对最大额定值、电气特性和应用领域。

ST STP16C596 数据手册

STP16C596是一款单片、中压、低电流的16位移位寄存器，适用于LED面板显示。它包含一个16位串行输入、并行输出的移位寄存器，进而驱动一个16位D型存储寄存器。在输出阶段，设计了16个稳定的电流源，可提供15-120mA的恒定电流来驱动LED。串行输出在时钟的下降沿改变状态，这个特殊的功能可以在时钟信号偏斜（由于串联长度过长）时提供更好的性能。通过外部电阻，用户可以调节STP16C596的输出电流，从而控制LED的光强度。STP16C596保证了16V的输出驱动能力，允许用户串联更多的LED。高时钟频率25MHz也满足系统对高速数据传输的需求。与标准的TSSOP封装相比，TSSOP裸露焊盘可以增加2.5倍的散热能力。

ST STP16C596 数据手册(1)

STP16C596是16位移位寄存器，可提供15-120mA恒定电流驱动LED。

ST STP16CL596 数据手册

STP16CL596是ST公司的一款低压，低电流功率16位移位寄存器，可驱动LED面板显示器。其输出电流可调，可提供15-90mA的恒定电流，同时还支持16V的输出驱动能力，支持25MHz的高时钟频率。