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松下 KX-TC1866B/KX-TC1866W 使用说明书

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FAIRCHILD FDP2670/FDB2670 数据手册

该文档介绍了FDP2670/FDB2670型号的200V N-Channel PowerTrench MOSFET。该产品适用于隔离的DC/DC转换器应用中的主边开关。具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要200V MOSFET的任何应用。采用高性能沟道技术，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。支持高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 数据手册

该文件介绍了FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 N沟道PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括低电阻、低Miller电荷、低QRR Body二极管等。它适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统。

FAIRCHILD FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 数据手册

该文档是关于Fairchild Semiconductor Corporation 于2002年发布的FDB3652/FDP3652/FDI3652 N-Channel PowerTrench® MOSFET的产品信息手册

FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 数据手册

FDB3682 / FDP3682 是一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，具有 100V、32A、36mΩ 的特点。

ST AN3365 Application note

本应用笔记介绍了一种基于开源SSL/TLS库PolarSSL的演示包，该演示包可在STM32F217xx微控制器上实现安全套接字层(SSL)和传输层安全(TLS)。

该应用笔记介绍了用于STM32F2xx微控制器系列的时钟系统配置工具。该工具的目的是帮助用户配置微控制器的时钟，考虑到产品参数，如电源和Flash访问模式。该工具支持对STM32F2xx的以下功能进行配置：系统时钟、HCLK源和输出频率的配置；Flash延迟（根据HCLK频率的等待状态数）的配置；PCLK1、PCLK2、TIMCLK（定时器时钟）、USBCLK和I2SCLK频率的设置；生成一个包含所有上述设置的可用的system_stm32F2xx.c文件（STM32F2xx CMSIS Cortex-M3设备外围访问层系统源文件）。在使用时钟工具之前，必须阅读STM32F2xx微控制器参考手册（RM0033）。该工具仅支持STM32F2xx的B版和Y版。

FAIRCHILD FDP55N06/FDPF55N06 数据手册

FDP55N06/FDPF55N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低门极电荷、低Crss、快速开关的功率场效应晶体管。

FAIRCHILD FDP46N30 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDP46N30 300V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括46A的电流输出、低的门电荷、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDP5645/FDB5645 数据手册

FDP5645/FDB5645是一款60V N通道功率MOSFET，具有更快的开关速度和更低的门极电荷，可用于DC/DC转换器，其特点是RDS(ON)=0.0095 Ω @ VGS = 10 V和RDS(ON)=0.011 Ω @ VGS = 6 V。

FAIRCHILD FDP5690/FDB5690 数据手册

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FAIRCHILD FDP6021P/FDB6021P 数据手册

该文件介绍了FDP6021P/FDB6021P型号的P-Channel功率MOSFET的特点和特性，适用于电池管理、负载开关和电压调节等应用。

FAIRCHILD FDP6030BL/FDB6030BL 数据手册

FDP6030BL/FDB6030BL是一种N沟道逻辑电平功率场效应晶体管，具有40A、30V的特点。它采用高性能沟道技术，具有极低的导通电阻。具有175°C的最大结温额定值。

松下 KX-TCC116-B 使用说明书

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松下 KX-TCC106-B 使用说明书

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FAIRCHILD FDP6030L / FDB6030L 数据手册

FDB6030L是Fairchild生产的N通道逻辑级增强型功率场效应晶体管，具有低栅极电荷（典型值为34 nC）、低Crss（典型值为175 pF）和快速开关速度。该器件适用于需要快速开关、低在线功耗和抗瞬态干扰的低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路。

FAIRCHILD FDP6035AL/FDB6035AL 数据手册

FDP6035AL/FDB6035AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道逻辑级MOSFET，它具有48 A，30 V RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V，Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature，High performance trench technology for extremely low RDS(ON)，175°C maximum junction temperature rating等特点。

FAIRCHILD FDP6035L/FDB6035L 数据手册

FDP6035L/FDB6035L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低压应用的N沟道逻辑级增强型功率场效应晶体管，其特点是低导通电阻，快开关速度，低线损和抗瞬变性

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