FAIRCHILD KSA643 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 KSA643是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款PNP型低频功率放大器，具有500mW的最大集电极电流、-40V的最大集电极-发射极反向电压和-20V的最大发射极-基极反向电压。该器件采用TO-92封装，工作温度范围为-55~150℃。
FAIRCHILD FZT649 NPN Low Saturation Transistor 说明书 FZT649是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达3A连续
FAIRCHILD FSB660/FSB660A PNP Low Saturation Transistor 数据手册 FSB660 / FSB660A是PNP低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，连续集电流可达2A。
FAIRCHILD FSB649 NPN Low Saturation Transistor 数据手册 FSB649 SuperSOTTM-3是一种NPN低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，可持续工作电流高达3A。
FAIRCHILD FSB619 NPN Low Saturation Transistor 数据手册 该数据表格列出了 FSB619 的绝对最大额定值、热特性、小信号特性等信息，该器件为 NPN 低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达 3A 连续。
FAIRCHILD FSB560 数据手册 该文件是关于FSB560/FSB560A NPN Low Saturation Transistor 的特性介绍，该器件具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达2A
FAIRCHILD FMBA06 NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier 数据手册 FMBA06是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN多芯片通用放大器。其绝对最大额定值为：集电极-发射极电压为80V、集电极-基极电压为80V、发射极-基极电压为4.0V、集电极电流为500mA、工作温度范围为-55到+150°C。
FAIRCHILD FJX3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 本文档介绍了FJX3906 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它提供了集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电流、集电功耗和存储温度的最大额定值。此外，还提供了集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、电流增益带宽积、输出电容、噪声系数、开启时间和关闭时间的电气特性。
FAIRCHILD MMBT3906SL PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 本文介绍了MMBT3906SL PNP外延硅晶体管的特点和特性，适用于一般放大和开关应用，尤其适用于便携式设备。建议与互补型号NPN MMBT3904SL配套使用。
FAIRCHILD MMBT3646 Switching Transistor 数据手册 MMBT3646是Fairchild Semiconductor制造的一种双极结型晶体管。该晶体管具有15 V的VCEO、40 V的VCES、40 V的VCBO和5 V的VEBO。它可以承受的最大电流为300 mA，最大功率为625 mW。该晶体管的额定工作温度为150°C。
FAIRCHILD PN2369A/MMBT2369A NPN Switching Transistor 数据手册 PN2369A MMBT2369A是Fairchild生产的一款NPN开关晶体管，适用于10mA到100mA的饱和开关电流
FAIRCHILD MMBT2369 NPN Switching Transistor 说明书 MMBT2369 / PN2369是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN开关晶体管，该晶体管的特点是能够在10mA到100mA的集电极电流下实现高速饱和开关。
FAIRCHILD KST55/56 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST55/56是Fairchild公司生产的PNP型电晶体，其最大集电极-发射极电压为-60V/-80V，最大集电极-发射极饱和电压为-60V/-80V，最大集电极电流为-500mA，最大集电极功耗为350mW，最大工作温度为150℃，其封装形式为SOT-23。
FAIRCHILD KST3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST3906是Fairchild公司生产的一款PNP型硅晶体管，其最大集电极-基极电压为-40V，最大集电极-发射极电压为-40V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-200mA，最大集电极功耗为350mW，最大储存温度为150℃。
FAIRCHILD KST05/06 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KST05/06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为60V，最大集电极-发射极饱和电压为0.25V，最大发射极-基极电压为4V，最大集电极电流为500mA，最大功耗为350mW，封装类型为SOT-23。
FAIRCHILD KSP55/56 PNP Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSP55/56 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。其中包括了器件的最大电压、电流、功率耗散、温度等额定值，以及集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、电流增益带宽等电气特性。
FAIRCHILD KSD1616/1616A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 KSD1616/1616A是一款音频频率功率放大器和中速开关，额定电压为60V和120V，额定电流为1A和2A。
