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更新: 28 September, 2023
这是一份关于FDS2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET的文档。该MOSFET采用高性能槽沟技术，具有低RDS(ON)、低门电荷、快速开关速度和高功率处理能力等特点。该产品专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于同步或传统开关PWM控制器。通过使用这款MOSFET，可以实现更高的驱动安全性和效率。
文件格式: PDF
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MD5: 40FC2175CD50E2915F0593666D6E4EB1
发布时间: 12 July, 2012
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