FAIRCHILD FDN360P 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDN360P单P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Power Trench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。适用于低压和电池供电应用，要求低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDN336P 说明书 FDN306P/336P是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道2.5V规格PowerTrench®MOSFET。该器件适用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDMS9620S 说明书 该文档介绍了2007年7月发布的FDMS9620S Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括Q1和Q2两种型号的电流、电阻和功率等参数。
FAIRCHILD FDMS9600S 说明书 FDMS9600S双N通道PowerTrench®MOSFET是一款30V，32A，8.5mΩ的MOSFET。它具有低Qg高侧MOSFET和低rDS(on)低侧MOSFET，并且具有热效率高，双Power56封装，引脚优化，RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDMS8670S 说明书 FDMS8670S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30V, 42A, 3.5m� 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 MOSFET 器件，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。
FAIRCHILD FDMS86540 说明书 FDMS86540是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，该器件具有低导通电阻、高效率、软恢复的特点，适用于DC/DC转换器中使用。
FAIRCHILD FDNS86520L 说明书 FDMS86520L N-Channel PowerTrench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 于 2011 年推出的一款低 rDS(on) 的 MOSFET，可用于 DC/DC 转换器。该器件采用 MSL1 封装，具有 100% UIL 测试和 RoHS 认证。
FAIRCHILD FDMS86520 说明书 该文件介绍了FDMS86520 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括最大的导通电阻、先进的封装和硅结构、下一代增强型体二极管技术、100% UIL测试等。
FAIRCHILD FDMS86500DC 说明书 FDMS86500DC N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，具有极低的RDS(on)和出色的开关性能，适用于DC/DC转换器同步整流器，电信二次侧整流器和高端服务器/工作站。
FAIRCHILD FDMS86322 说明书 FDMS86322是一种N通道PowerTrench® MOSFET，具有80V的耐压和60A的额定电流。其特点是最大的导通电阻为7.65 mΩ，采用先进的封装和硅材料组合，以实现低导通电阻和高效率。
FAIRCHILD FDMS86320 说明书 FDMS86320 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款低电阻、高效率、快速开关的功率MOSFET，应用于各种DC/DC转换器
FAIRCHILD FDMS86310 说明书 FDMS86310 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款具有低rDS(on)和高效率的MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。
ON MMSZ4678ET1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册 该文件是MMSZ4678ET1系列Zener 电压调节器的产品手册
FAIRCHILD FDMS86300DC 说明书 FDMS86300DC N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻(3.1 mΩ)，可应用于DC/DC转换器、电信二次侧整流器等场景。
ON MMSZ4678T1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册 这份文件介绍了MMSZ4678T1系列稳压二极管的特点和特性。这些二极管采用方便的表面贴装塑料SOD−123封装，提供34脚封装的替代方案。
FAIRCHILD FDMS86300 说明书 该文件介绍了FDMS86300 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该MOSFET具有低rDS(on)和高效率的先进封装和硅结合技术。它还采用了下一代增强型体二极管技术，用于软恢复。该MOSFET经过100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMS86252 说明书 FDMS86252 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一种高性能的开关器件，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
FAIRCHILD FDMS86250 说明书 该文件介绍了FDMS86250 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有最大的rDS(on)值为25 mΩ和33 mΩ，适用于DC-DC转换电源。它采用先进的封装和硅材料组合，具有低rDS(on)和高效率。
