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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDN360P单P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Power Trench工艺生产,具有低导通电阻和低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。适用于低压和电池供电应用,要求低线路功耗和快速开关。
文件格式: PDF
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MD5: 6D1B573AC2B6C5DB4030E70D4659BE5A
发布时间: 11 July, 2012
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