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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了FDMS86300 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该MOSFET具有低rDS(on)和高效率的先进封装和硅结合技术。它还采用了下一代增强型体二极管技术，用于软恢复。该MOSFET经过100% UIL测试，符合RoHS标准。
文件格式: PDF
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MD5: 29F2D51FB89AC4466B56D19674B55DCB
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDMS86300 说明书 PDF