MCC MUR1505 THRU MUR1560 数据手册(1) 这份文件介绍了MUR105到MUR1100系列1安培超快恢复整流器的特点和特性，包括高浪涌能力、低正向电压降、高电流能力和超快开关速度。还列出了不同型号的最大峰值反向电压、最大有效值电压和最大直流阻断电压等参数。
MCC MUR1505 THRU MUR1560 数据手册(1) 本文档介绍了MUR1505至MUR1560系列15安培超快玻璃阻化整流器的特点和特性，包括工作温度范围、峰值反向电压、有效值电压、直流阻断电压、正向电流、峰值正向浪涌电流、正向压降、反向电流等。
FAIRCHILD FDP3651U N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDP3651U N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其rDS(on)、Qg(TOT)、Miller Charge、Qrr Body Diode等参数。该产品适用于DC/DC转换器和离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主要开关以及高压同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDP26N40/FDPF26N40 N-Channel MOSFET 数据手册 FDP26N40 / FDPF26N40 N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款产品，其额定电压为400V，额定电流为26A，导通电阻为0.16欧姆。该产品具有低栅极电荷、低反向电容、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FDP2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDP2614是一款200V N通道功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor生产。其特点是低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度。该产品适用于PDP应用。
FAIRCHILD FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ 数据手册 FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 0.53 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A，低门极电荷( Typ. 26nC)，低Crss( Typ. 12pF)，快速开关，100%雪崩测试，增强dv/dt能力，ESD增强能力，RoHS兼容
FAIRCHILD FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ 数据手册 FDP10N60NZ/FDPF10N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款功率开关器件，具有600V、10A、0.75Ω的特点。
FAIRCHILD FDP040N06 数据手册 FDP040N06是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，其最大特点是RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A，具有快速开关速度、低门极电荷、高性能沟槽技术和极低RDS(on)，适用于DC到DC转换器/同步整流应用。
FAIRCHILD FDP036N10A 数据手册 FDP036N10A N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，具有RDS(on) = 3.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A的特性，适用于DC to DC Convertors / Synchronous Rectification等应用场景。
FAIRCHILD FDP025N06 数据手册 FDPA025N06是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有极低的RDS(on)、快速的开关速度、低的门极电荷和高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDP020N06B_F102 数据手册 该文件介绍了FDP020N06B_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低电阻、低反向恢复电荷、快速开关速度等，适用于同步整流、电池充电器、直流电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDN86246 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN86246 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大rDS(on)值、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN5630型号的N-沟道MOSFET产品。该产品采用了Fairchild公司的PowerTrench技术，具有较低的RDS(ON)和快速开关特性，适用于高频DC/DC转换器和马达驱动等应用。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel PowerTrench Specified MOSFET 数据手册 FDN5618P是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，额定电压为60V，漏极电流为-1.25A，开关速度快，RDS(ON)低，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用
FAIRCHILD FDQ7236AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench? in SO-14 Package 数据手册 FDQ7236AS是Fairchild公司生产的一款双通道功率MOSFET，该MOSFET具有低导通损耗和低开关损耗的特点。
FAIRCHILD FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有以下特点：RDS(on)=1.15mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=3.25A；低栅极电荷（典型值20nC）；低Crss（典型值10pF）；快速开关；100%雪崩测试；改进的dv/dt能力；RoHS兼容。
