INFINEON BAS16... 说明书 BAS16系列是ON Semiconductor推出的一种硅开关二极管，该系列产品具有高开关速度特性，适用于高频开关应用场合。该系列产品采用SOT23、TSLP-2-1、SC79、SCD80、SOD323、TSLP-4-4、SOT363、SC74、SOT323等多种封装形式，可满足不同应用场合的需要。
INFINEON BAR64... 说明书 BAR64系列是高压电流控制RF电阻器，适用于RF衰减器和开关。它具有频率范围超过1MHz到6GHz、零伏反向偏置下极低的电容（典型值为0.17pF）、低正向电阻（典型值为2.1欧姆@10毫安）和非常低的信号失真等特性
INFINEON IPP60R165CP 说明书 IPP60R165CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的RONxQg、超低栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、根据JEDEC1)目标应用的合格认证、无铅钎料，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为服务器和电信的硬开关拓扑而设计。
INFINEON XC164GM 说明书 这份文件是关于Infineon Technologies AG的XC164GM 16位单片微控制器的数据表。该微控制器具有C166SV2核心，提供了一些特点和特性。
INFINEON SPI80N06S2L-05 SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05 说明书 本文件介绍了SPI80N06S2L-05 SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor 产品的特点特性，包括最大电流、漏极电阻、引脚封装、型号、最大工作温度、功耗、电压、环境温度等。
IXYS SEMICONDUCTOR IXKC 20N60C 说明书 该文件介绍了IXYS公司2004年生产的一款产品的测试条件和最大额定值，包括电压、电流、功耗等参数。该产品采用了硅芯片和直铜键合基板，具有高功率耗散和隔离安装表面等特点。此外，该产品还具有高阻挡能力、低导通电阻和溅流保护等特性，适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正、焊接和感应加热等应用领域。
INFINEON SPD06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了SPD06N80C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括高压技术、低RDS(on)、超低门电荷、周期性雪崩和极端dv/dt耐受能力等。
INFINEON IKP06N60T 说明书 IKP06N60T是Infineon推出的一款IGBT产品，其特点是采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有很低的VCE(sat)、最大结温175 °C、短路承受时间-5µs。该产品适用于变速驱动、空调、感应烹饪等应用场景。
INFINEON ICE2A0565/165/265/365、ICE2B0565/165/265/365、ICE2A0565G、ICE2A0565Z、ICE2A180Z/280Z、ICE2A765I/2B765I 、ICE2A765P2/2B765P2、ICE2A380P2 说明书 该文件介绍了CoolSET™-F2 ICE2A0565/165/265/365 ICE2B0565/165/265/365 ICE2A0565G ICE2A0565Z ICE2A180Z/280Z ICE2A765I/2B765I ICE2A765P2/2B765P2 ICE2A380P2等型号的离线SMPS电流模式控制器，具有集成的650V/800V CoolMOS™。文档中描述了产品的特点和特性。
INFINEON PW60R075CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPW60R075CP CoolMOSTM Power Transistor是一种低功率损耗的功率晶体管，具有极低的开通电阻和电荷，能够承受高达650V的电压。它适用于服务器和电信设备的硬开关开关模式电源拓扑结构。
INFINEON SPU02N60S5/SPD02N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文档介绍了SPU02N60S5和SPD02N60S5两款Cool MOS™功率晶体管的特点。这两款晶体管采用了新的高压技术，具有超低的栅极电荷、周期性雪崩耐受能力和极端的dv/dt耐受能力。此外，它们还具有超低的等效电容和改进的跨导。该文档提供了这些产品的最大额定值，如持续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
INFINEON SDT02S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书 SDT02S60是一款600V的肖特基二极管，由SiC制成。该二极管无反向恢复，无温度影响，无前向恢复，性能优异。
INFINEON IPI60R125CP CoolMOS Power Transistor 说明书 这份文件介绍了IPI60R125CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等。该产品适用于服务器和电信领域的硬开关拓扑结构。
INFINEON XC164LM 16-Bit Single-Chip Micro controller with C166SV2 Core 说明书 XC164LM 16位单片微控制器, 具有C166SV2核心
INFINEON IPW60R199CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPW60R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是英飞凌公司生产的一种功率晶体管。它具有最低的RONxQg, 超低的栅极电荷, 极端的dv/dt额定值, 高峰值电流能力。它符合 JEDEC 标准, 适用于服务器和电信应用。
INFINEON SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 是一款高压大功率 MOS 晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力和改进的传导率。
