INFINEON SPD18P06P/SPU18P06P SIPMOS Power-Transistor 说明书 该文件介绍了SPD18P06P和SPU18P06P两种型号的功率晶体管的特点和特性，包括P-Channel、增强型、耐电压冲击、耐dv/dt、工作温度等。
INFINEON IPP60R125CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPP60R125CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款具有最低 RONxQg 的功率晶体管，具有超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。该器件符合 JEDEC1) 标准，专为服务器和电信应用而设计。
INFINEON IKA10N60T 说明书 IKA10N60T是Infineon的一款IGBT，其特点是Vce(sat)低至1.5V，最大结温为175℃，短路耐受时间为-5µs。该产品适用于洗衣机、空调、逆变器和变频驱动等应用
INFINEON SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW20N60S5是一款大功率MOS管，其最大电压为600V，最大电流为20A，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率等特点。
INFINEON SPP20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书 这份PDF文件是关于SPP20N60S5 Cool MOS™ Power Transistor的数据手册。该产品具有以下特点：新革命性高压技术、全球最佳RDS(on)在TO 220、超低门极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON SPP20N65C3/SPA20N65C3/SPI20N65C3 说明书 SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 是 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 650 V 的 VDS 和 0.19 欧姆的 RDS(on)，是全球 TO-220 封装中 RDS(on) 最低的产品。它还具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力和改进的转移电导性。
INFINEON BSS670S2L 说明书 BSS670S2L是ON Semiconductor生产的一款N沟道增强型逻辑级MOSFET，其最大电压为55V，最小导通电阻为650mΩ，最大电流为0.54A。
LINEAR TECHNOLOGY LT6010 说明书 LT6010 是一款低噪声、高精度输入性能、低功耗和具有轨到轨输出摆幅的运算放大器。它具有最大偏移电压35µV、最大输入偏置电流110pA、供电电流135µA、轨到轨输出摆幅和最小电压增益120dB的特点。LT6010适用于热电偶放大器、精密光电二极管放大器、仪器放大器、电池供电的精密系统等应用。
INFINEON SKP10N60A, SKB10N60A SKW10N60A 说明书 SKP10N60A 是英飞凌推出的一款 600V 的 IGBT 模块，最大输出电流为 10A，开关损耗低，额定结温为 150°C，工作温度范围为 -55°C 至 150°C。该产品采用 NPT-technology 工艺，具有很高的可靠性，并与反向并联的 EmCon 二极管配合使用，可实现快速恢复。SKP10N60A 适用于各种电机控制和逆变器应用。
INFINEON BAT165... 说明书 BAT165 是安森美（ON Semiconductor）生产的中功率 AF 肖特基二极管，正向电流为 750 mA，反向电压为 40 V，适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。
INFINEON SPP15N60CFD 说明书 SPP15N60CFD CoolMOSTM功率晶体管具有快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极高的极间电压/时间评级、高峰值电流能力等特点，适用于软开关PWM级、LCD和CRT电视等应用。
INFINEON SPI15N65C3 说明书 SPI15N65C3 CoolMOSTM 功率晶体管具有低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力和符合 JEDEC1) 目标应用的合格资质，而且铅免铅镀层符合 RoHS 标准。CoolMOS C3 适用于：笔记本电脑适配器。
INFINEON IPB60R199CP 说明书 IPB60R199CP CoolMOS TM功率晶体管特点：最低的R ONxQ g值；超低的栅极电荷；极高的dv/dt额定值；高峰值电流能力；符合JEDEC1)的目标应用要求；无铅引线镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为硬开关拓扑设计，适用于服务器和电信应用。
