INFINEON IPD60R600CP 数据手册 IPD60R600CP CoolMOS 功率晶体管的特点包括最低的 RON x Qg 比率、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力以及根据 JEDEC1) 针对目标应用进行的合格认证。
INFINEON - IPP60R250CP 说明书 IPP60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg值，超低的门电荷，极高的dv/dt额定值和高峰值电流能力。它适用于硬切换的开关模式电源拓扑结构。
INFINEON - SPP20N60CFD 说明书 SPP20N60CFD是新一代高压场效应晶体管，其RDS(on)为0.22欧姆，ID为20.7安培。产品具有极低的门电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。
INFINEON - SPW15N60CFD 说明书 SPW15N60CFD CoolMOSTM功率晶体管具有快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等特点，适用于软开关PWM级、LCD和CRT电视等应用。
INFINEON IPI60R199CP 说明书 IPI60R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是用于服务器和电信领域的硬开关拓扑的理想选择。其具有极低的RONxQg、超低的栅极电荷和极端的dv/dt额定值，以及高峰值电流能力。
INFINEON BC856...BC860 说明书 BC856, BC857, BC860 是三种 PNP 硅 AF 晶体管，具有高电流增益、低发射极-集电极饱和电压和低噪声，适用于 AF 输入级和驱动应用。
INFINEON IPP60R299CP 说明书 IPP60R299CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款低 RonxQg、低栅极电荷、高 dv/dt 额定、高峰值电流能力的功率晶体管。
INFINEON SPP06N60C3 说明书 SPP06N60C3 CoolMOSTM Power Transistor 是一款高性能功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、高峰值电流能力、超低有效电容和极端dv/dt额定值等特性。
INFINEON - BFP620 数据手册 该文件介绍了BFP620 Apr-21-2004 1 NPN硅锗射频晶体管的特点和特性，适用于广泛的无线应用，特别适用于CDMA和WLAN应用。其在1.8 GHz和6 GHz时的噪声系数分别为0.7 dB和1.3 dB，最大稳定增益分别为21.5 dB和11 dB。该晶体管具有高可靠性的金属化处理。
Intel Socket 754 处理器 Intel 865PE 芯片组 用户手册 这是一本关于 Intel 865PE 芯片组的主板使用手册，详细介绍了主板的特点特性、安装、BIOS 设置和驱动程序安装等内容。
