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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了IR2113E6高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性，包括浮动通道设计、从10到20V的门极驱动电源范围、正负偏移的逻辑和电源地、CMOS施密特触发输入等。
文件格式: PDF
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MD5: 72A91498993BC1D04F40939AED385F94
发布时间: 10 July, 2012
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连接: lnternational IOR Rectifier IR2113E6 数据手册 PDF