INFINEON SPP15N65C3 CoolMOS Power Transistor 说明书 SPP15N65C3 CoolMOS功率晶体管的特征包括低栅极电荷、极端dv/dt额定值和高峰值电流能力。该产品通过JEDEC1)认证，适用于目标应用，并符合铅无铅铅镀层和RoHS要求。CoolMOS C3设计用于笔记本电源适配器。
INFINEON SPW11N60S5 Cool MOS ower Transistor 说明书 SPW11N60S5是Cool MOS™大功率三极管，其特点是新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON SPW24N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW24N60C3 是一款新型高压功率晶体管，具有极低的门极电荷、周期性雪崩等特性，最大电压为 650 伏，最大电流为 24.3 A。
INFINEON SPP06N80C3/SPA06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该数据表格是关于SPP06N80C3和SPA06N80C3这两款高压MOS管的产品信息，包括型号、封装形式、最大电流、门极电压、功耗等信息
INFINEON BAR65... Silicon PIN Diode 说明书 BAR65是一种硅PIN二极管，主要用于移动通信中的低损耗收发开关和电视调谐器的频段切换。它具有非常低的正向电阻和低电容，适用于快速切换应用。
INFINEON SPD07N60C3/SPU07N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 本文件详细介绍了804-10 Rev. 2.5 P-channel功率MOSFET的产品特性,包括最大电压、电流、功率和热阻等
INFINEON PROFET BTS 6133D Smart Highside Power Switch 说明书 该文件是关于PROFET® BTS 6133D 的数据表，产品具有反向电池保护、反向操作、短路保护、电流限制、过载保护、热关断、过压保护、失去接地保护、失去Vbb保护、低待机电流、快速退磁等功能。
INFINEON BAS116... Silicon Low Leakage Diode 说明书 该文件介绍了BAS116硅低漏电二极管的特点和特性，适用于低漏电应用和中等速度的开关时间。它具有80V的反向电压和250mA的正向电流。另外，该二极管具有较低的反向电流和快速的反向恢复时间。
INFINEON IKP15N60T 说明书 该文件介绍了IKP15N60T TrenchStop®系列的功率半导体器件，具有低损耗、快速恢复反并联EmCon HE二极管。产品具有很低的VCE(sat)值，最高结温175°C，短路承受时间为5微秒。适用于频率转换器和不间断电源等应用。采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有参数分布紧密、高韧性、温度稳定性好、开关速度快等特点。
INFINEON SDT12S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书 SDT12S60是世界上第一个600V肖特基二极管，采用革命性的半导体材料——碳化硅，具有卓越的开关特性，无反向恢复，无温度影响，无正向恢复
INFINEON SPD06N60C3 CoolMOS Power Transistor 说明书 该文件介绍了SPD06N60C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性击穿额定、高峰值电流能力、超低等效电容、极端的dv/dt额定、改善的跨导值等。
INFINEON TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz Wireless Transceiver 说明书 该文件是关于TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz无线收发器的数据手册。介绍了该产品的特点和特性。
INFINEON IPW60R125CP 数据手册 IPW60R125CP是CoolMOSTM功率晶体管，具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1)目标应用的资格认证，以及无铅镀铅和RoHS合规性。CoolMOS CP专门设计用于：服务器和电信的硬开关拓扑结构
