INFINEON IPA60R520CP 说明书 IPA60R520CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比率、超低的栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值以及高峰值电流能力。它根据 JEDEC1) 的目标应用进行合格评定，并且符合 RoHS 标准。
INFINEON IPD60R520CP 说明书 该文件介绍了IPD60R520CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的R ON x Qg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt耐压能力、高峰值电流能力等。
INFINEON PROFET ITS 640S2 说明书 该文档介绍了PROFET® ITS 640S2 Infineon Technologies AG的特点和应用，包括短路保护、电流限制、负载电流感应、CMOS兼容输入等。
INFINEON SPW47N60CFD 说明书 SPW47N60CFD是CoolMOSTM功率晶体管，具有新的革命性高压技术，内置快速恢复体二极管，极低的反向恢复电荷，超低门极电荷，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，周期性雪崩额定值，符合JEDEC1) 的目标应用要求，无铅铅镀层；RoHS 兼容。
INFINEON IPP60R199CP 说明书 IPP60R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力，符合JEDEC1)的目标应用要求，采用无铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为服务器和电信的硬开关拓扑设计。
INFINEON SPA15N60CFD 说明书 SPA15N60CFD 是意法半导体生产的一种功率晶体管，该产品具有内置的快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力，并且根据JEDEC1)针对目标应用进行了认证。该产品适用于软开关PWM阶段和LCD和CRT电视。
INFINEON IDT12S60C 说明书 IDT12S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT公司生产的一种新型肖特基二极管，它具有无反向恢复/无正向恢复、高浪涌电流能力、铅免焊等特点，适用于CCM PFC、电机驱动等快速开关应用场合。
INFINEON IPB60R299CP 说明书 IPB60R299CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ONxQ g，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合JEDEC1)的目标应用要求，采用无铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP适用于硬开关SMPS拓扑结构。
INFINEON IPW60R045CP 说明书 IPW60R045CP CoolMOS® 功率晶体管，特点包括：全球最佳 R ds,on 在 TO247，超低栅极电荷，极限 dv/dt 额定值，高峰电流能力，根据 JEDEC1) 针对目标应用进行合格认证，铅免除铅镀，符合 RoHS 要求。 CoolMOS CP 专为：硬开关 SMPS 拓扑而设计。
INFINEON SPI16N50C3, SPA16N50C3 说明书 该文档介绍了SPP16N50C3、SPI16N50C3和SPA16N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性击穿额定、极端dv/dt额定、超低有效电容、改进的传导电导和不同封装类型等。
INFINEON IPB60R600CP 数据手册 IPB60R600CP是IPB60系列的一个型号，是ON Semiconductor公司生产的功率晶体管，其特点是最低的RON x Qg，超低的门极电荷，极端dv/dt额定值，高峰值电流能力，通过JEDEC1)认证，铅封，符合RoHS标准。
INFINEON SPA06N60C3 数据手册 SPA06N60C3 CoolMOSTM 功率晶体管具有以下特点：新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、高峰值电流能力、超低有效电容、极端dv /dt额定、改进的传导率、完全绝缘封装（2500V AC；1分钟）
