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FAIRCHILD FQA62N25C 数据手册

FQA62N25C是Fairchild公司生产的250V N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V，低门极电荷，低Crss，快速开关，100%的雪崩测试，改进的dv/dt能力。

SEME LAB 2N7085 数据手册

该文件介绍了2N7085型号的特点和特性，包括最大工作电压、最大电流、最大功率等参数。

FAIRCHILD FQA65N20 数据手册

这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA65N20 QFET TM FQA65N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的可靠性。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、无间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

SEME LAB 2N7086 数据手册

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SEME LAB 2N7091 数据手册

2N7091 是 TO-257AB 金属封装的 P 通道增强型晶体管。该晶体管具有简单的驱动要求，适用于高可靠性应用。

ON Semiconductor CS5253B-1 数据手册

The CS5253B-1 is a 3.0 A LDO 5-Pin Adjustable Linear Regulator with Remote Sense Applications. It is a new very low dropout linear regulator that reduces total power dissipation in the application.

Cherry Semiconductor CS51021/CS51023/CS51022/CS51024 数据手册

该文件介绍了CS51021/22/23/24系列固定频率PWM电流模式控制器，该系列控制器具有低启动电流（75µA）、高频操作能力、过压和欠压监视、可编程双阈值过流保护、电流检测引导边缘消隐、电流斜率补偿、精确占空比控制和可外部提供的5V参考等特点。该系列控制器具有双向同步功能，CS51021和CS51023提供睡眠模式，最大IC电流消耗为100µA。该系列控制器采用16引脚窄体SO封装。

ON Semiconductor CS51021A, CS51022A, CS51023A, CS51024A 数据手册

该数据手册是关于CS51021A/2A/3A/4A固定频率PWM电流模式控制器的，它提供所有必要的功能，以满足AC-DC或DC-DC主侧控制的要求。该系列包含了多种功能，从而消除了需要外部实现的额外组件。除了低启动电流(75µA)和高频操作能力之外，CS51021A/2A/3A/4A系列还包括过电压和欠电压监控、外部可编程双阈值过电流保护、电流检测前沿消隐、电流斜率补偿、精确的占空比控制和可用外部5.0V参考电压。CS51021A和CS51023A具有双向同步能力，而CS51022A和CS51024A则具有100µA最大IC电流消耗的睡眠模式。CS51021A/2A/3A/4A系列采用16引脚窄体SO封装。

FAIRCHILD 2N718A/2N1613 数据手册

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iVision 20 sx+ HD 投影仪 用户指南

本手册详细介绍了投影仪的使用方法，包括安全使用注意事项、产品规格、安装方法、使用说明、故障排除等内容。

ADVANCED POWER TECHNOLOGY 2N7227, JX2N7227*, JV2N7227* 数据手册

2N7227 是一个高压功率 MOSFET, 最大工作电压为 400V. 其最大连续电流为 14A, 最大峰值电流为 56A. 其导通电阻为 0.315Ω

ADVANCED POWER TECHNOLOGY 2N7228, JX2N7228*, JV2N7228* 数据手册

2N7228 N-CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS是美国ON Semiconductor公司生产的一款高压功率MOS管，其最大电压为500V，最大电流为12A。

HARRIS Semiconductor 2N7288D, 2N7288R, 2N7288H 数据手册

该文档介绍了Harris Corporation公司1992年生产的2N7288D、2N7288R和2N7288H型号的辐射硬化N沟道功率MOSFET。这些器件具有9A、250V的额定值，RDS(on)为0.415Ω，能够满足100KRAD(Si)的预辐照规格，并且性能允许有限使用到3000KRAD(Si)。

HARRIS Semiconductor 2N7330D, 2N7330R, 2N7330H 数据手册

查询2N7330H供应商

HARRIS Semiconductor 2N7331D, 2N7331R, 2N7331H 数据手册

This is a PDF document. It provides a list of suppliers for 2N7331D.

Microsemi LAWRENCE 2N7368 数据手册

这份文件介绍了一个NPN高功率硅晶体管的技术数据，包括最大额定值、热特性和电性能参数。

Cherry Semiconductor CS5112 数据手册

CS5112是1.4A开关稳压器，具有5V、100mA线性稳压器、看门狗、复位和使能

Microsemi LAWRENCE 2N7369 数据手册

该文件介绍了一种PNP高功率硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/621标准，具有80V的集电极-发射极电压，80V的集电极-基极电压，7.0V的发射极-基极电压，4.0A的基极电流，10A的集电极电流，115W的最大功率耗散等特性。

Microsemi LAWRENCE 2N7370 数据手册

2N7370 JAN系列是高功率硅晶体管，具有最大集电极-发射极电压100Vdc、最大集电极-发射极击穿电压100Vdc、最大发射极-基极电压5.0Vdc、最大基极电流0.2Adc、最大集电极电流12Adc、最大总功耗100W，工作温度范围-65至+175℃。

ON Semiconductor CS51220 数据手册

CS51220是一款具有开关频率高达500kHz的单输出PWM控制器。前馈电压模式控制为宽输入范围提供出色的线路调节。该PWM控制器具有同步输出，允许编程相位延迟。对于过电流保护，“软抽搐”技术有效地限制了输出电流，具有最大的灵活性。此外，该器件还包括以下特性：软启动、脉冲电流限制、可编程折叠电流限制、伏秒钳位、最大占空比、过压和欠压保护以及同步输入。CS51220可在16 SO窄表面贴装封装中使用。